據韓國經濟新聞報導，三星電子宣佈90奈米DRAM以0.10微米製程，試產2G NAND快閃記憶體量產成功，並且計畫明年第三季將月產2萬片12吋晶圓，專門生產NAND快閃記憶體。
NAND供應商主要三大家為三星、東芝與日立，根據iSuppli資料指出，去年Flash市場大幅衰退28.6％，平均售價下跌10％，預計今年將成長18％，可望從去年的76億美元成長至今年的90億美元。
業者表示，NAND Flash之消費性電子產品的成長狀況，是判斷市場的重要根據之一；另一方面，NOR Flash今年將有新興的應用市場，包括2.5G、3G手機、視訊轉換盒、網路、電信等方面的應用等，都有可能會帶動其需求。
另外，今年英特爾（Intel）開發StrataFlash記憶體，該產品是採用MLC（Multi-level Cell）技術，可在單一細胞記憶體中儲存兩倍或更高的容量，並且以較低的成本優勢，預計搶占部分NAND flash的儲存市場。
