英飛凌首款針對AI資料中心HVDC架構的24 kW SiC BBU參考設計問世 (2026.08.12)
英飛凌科技推出新款 24 kW 電池備份單元（BBU）DC-DC 參考設計。其專為AI資料中心的高壓直流母線架構而設計，是業內首款可直接在電池組與 800 V 直流母線之間運行的解決方案，採用了 650 V 和 1200 V 碳化矽（SiC…
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定義兆瓦級AI工廠 英飛凌以固態電力技術 驅動直流微電網革命 (2026.04.30)
在代理式AI發展如火如荼的新時代，全球對算力的需求正以倍速增加，這股力量也直接拉升了資料中心的能耗基準，傳統的電力架構已難以支撐未來的AI算力需求。 英飛凌（Infineon）的技術專家們一致指出：要解開這場能源枷鎖，核心關鍵在於從電網到處…
碳化矽市場持續升溫 SiC JFET技術成為關鍵推動力 (2024.12.11)
隨著全球對高效能源與高性能技術需求的增加，碳化矽（SiC）市場正迎來快速增長。碳化矽材料因其優異的熱穩定性、高擊穿電壓與高功率密度性能，成為許多高效能應用的首選，涵蓋電動車、再生能源系統以及資料中心等領域。特別是在人工智慧（AI）驅動的資料…
GE科學家展示超高溫SiC MOSFET效能 承受超過800 ℃ (2023.06.02)
來自通用電氣研究（GE Research）的科學家們創造了一項新記錄，展示可以承受超過溫度 800 ℃的金屬-氧化物-半導體場效應晶體管（SiC MOSFET）。這相較於之前已知的該技術演示高出 200℃，對於極端操作環境中未來應用深具潛力…
Qorvo推出750V SiC FET 封裝D2PAK-7L提供更大靈活性 (2022.07.27)
Qorvo今日宣佈推出採用表面貼裝D2PAK-7L封裝的七款750V碳化矽（SiC）FET，借助此封裝選項，Qorvo SiC FET可為車載充電器、軟切換DC/DC轉換器、電池充電（快速DC和工業）以及IT/伺服器電源等快速增長應用量身客…
UnitedSiC推出最小導通電阻6mΩ SiC FET 耗損僅競品的一半 (2021.09.14)
碳化矽（SiC）功率元件的應用正快速且廣泛的成長中，尤其是電動車相關的市場，而SiC元件的性能優劣也成為供應商的決勝點。而專注於碳化矽元件技術開發的美商UnitedSiC（聯合碳化矽），今日推出了一款業界最佳的750V SiC FET產品，…
賦能未來，勇往直前：SiC MOSFET問世10周年的思索 (2021.04.20)
在SiC MOSFET問世10周年之際，作者回顧科銳公司十年歷史所經歷的關鍵時刻，並認為未來的發展會比過去曾經歷的增長還要巨大，也為下一步即將增長的產業曲線提出卓見。…
X-FAB Silicon Foundries SE continues to drive the adoption of silicon-carbide (SiC) technology forward by offering SiC f…
UnitedSiC has added two new TO220-3L package options to its growing range of hard-switching UF3C FAST series of 650V SiC…
UnitedSiC推出用於低功率AC-DC返馳式轉換器的SiC JFET系列 (2019.03.21)
UnitedSiC推出一系列適用於與具備內建低壓MOSFET的控制器IC共同封裝的SiC JFET晶片，可製造出速度快，基於疊接的20W至100W返馳式產品。這些常導通式SiC JFET的操作電壓範圍為650V至1700V，可幫助實現簡化的…
UnitedSiC發布全新UF3C FAST碳化矽FET系列產品 (2018.11.06)
碳化矽（SiC）功率半導體製造商UnitedSiC宣布推出採用標準TO-247-3L封裝之UF3C FAST系列650V和120V高性能碳化矽FET。相較現有UJC3系列，FAST系列具有更快的切換速度和更高的效率水準。 基於UnitedS…
溝槽構造SiC-MOSFET可大幅降低導通電阻 (2015.08.14)
ROHM近日研發出採用溝槽結構的SiC-MOSFET，並已建立完備的量產體制。與量產中的平面型SiC-MOSFET相比，同一晶片尺寸的導通電阻可降低50%，這將大幅降低太陽能發電用功率調節器和工業設備用電源、工業用變流器等所有相關設備的功率…
是德科技推出用於電力電路設計的 功率元件電容分析儀 (2014.08.12)
是德科技（Keysight Technologies Inc.）日前宣佈推出一款能夠在實際操作電壓下自動測試功率元件接面電容的功率元件電容分析儀。 隨著使用碳化矽（SiC）和氮化?（GaN）等新材料製成的功率元件不斷問世，切換式電源供應器現…
歐洲高能效功率晶片專案成果斐然 (2013.05.28)
歐洲奈米電子行動顧問委員會（ENIAC）聯盟（JU）日前公佈為期三年的LAST POWER專案開發成果。此專案於2010年4月啟動，目標在於研發高成本效益且高可靠性的功率電子技術，聚集了寬能隙功率半導體元件（Wide Bandgap Pow…
快捷半導體SiC BJT上場 鎖定5kW應用市場 (2012.11.21)
快捷半導體日前才完成收購碳化矽(SiC)功率電晶體企業TranSiC，掌握了最關鍵的SiC材料與製程技術，並且能夠在超廣溫度範圍下有亮眼出色的性能，以及高於金屬氧化物半導體場效電晶體（MOSFET）和接面場效電晶體（JFET）技術的雙極Si…
快捷半導體SiC BJT上場 鎖定5kW應用市場 (2012.11.21)
快捷半導體日前才完成收購碳化矽(SiC)功率電晶體企業TranSiC，掌握了最關鍵的SiC材料與製程技術，並且能夠在超廣溫度範圍下有亮眼出色的性能，以及高於金屬氧化物半導體場效電晶體（MOSFET）和接面場效電晶體（JFET）技術的雙極Si…
Infineon推出採直驅技術的 CoolSiC 1200V SiC JFET 系列產品 (2012.05.15)
英飛凌(Infineon) 日前推出最新 CoolSiC 1200V SiC JFET 系列，進一步強化英飛凌在 SiC市場的領先地位。此一革命性的全新產品系列展現英飛凌在 SiC 技術研發領域超過十年的經驗，同時擁有高品質、可大量生產的特…
快捷半導體推出SiC技術開發創新產品 (2011.05.06)
快捷半導體（Fairchild Semiconductor）近日宣佈，收購碳化矽（Silicon Carbide; SiC）功率電晶體企業TranSiC公司，以擴展其技術領先地位。 這項收購為快捷半導體帶來具有充分驗證之業界領先效率、可在超…
CISSOID推出新款高溫功率晶體驅動器參考設計 (2010.03.22)
高溫半導體方案供應商CISSOID近日發佈，新款快速高溫功率晶體驅動器參考設計PROMETHEUS-II。其適用於-55℃至+225℃的操作。PROMETHEUS-II的解決方案是用來驅動碳化矽（SiC）、氮化鎵和其他功率元件，如需用於高達…
TI推出體積精巧耗電低的36V精準放大器 (2006.11.23)
德州儀器(TI)推出兩款精準運算放大器OPA211與OPA827，不僅兼具超低雜訊和低耗電等優點，還提供比其它36V放大器更精巧的體積及更大的頻寬，可將突破性的效能帶給測試與量測、儀錶、影像、醫療、音訊和程序控制等應用。OPA211與OPA…