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快捷半導體推出SiC技術開發創新產品

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快捷半導體(Fairchild Semiconductor)近日宣佈,收購碳化矽(Silicon Carbide; SiC)功率電晶體企業TranSiC公司,以擴展其技術領先地位。

這項收購為快捷半導體帶來具有充分驗證之業界領先效率、可在超廣溫度範圍下有出色性能、以及優於MOSFET和JFET技術的卓越性能之雙極SiC電晶體技術。快捷半導體同時藉此獲取經驗豐富的SiC工程師團隊和科學家團隊,以及多項SiC技術專利。

憑著SiC技術的高性能表現,功率轉換效率可被大大提高。它還提供更高的轉換速度,可以縮小的終端系統外形尺寸。碳化矽技術在市場已有一定地位,同時在寬能隙(wide bandgap)領域擁有強大優勢,適合需要600V以上電壓的應用,並且展現出色的穩健性和可靠性。

超大規模資料中心重塑AI基礎設施
特別企劃半導體AI

超大規模資料中心重塑AI基礎設施

為了增加資料傳輸的速度、距離和效率,AI生態系統正在探索射頻(RF)矽中介層技術,以實現互補式金氧半導體(CMOS)、雙極互補式金氧半導體(BiCMOS)與三五族材料的異質整合。

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