碳化矽（SiC）功率半導體製造商UnitedSiC宣布推出採用標準TO-247-3L封裝之UF3C FAST系列650V和120V高性能碳化矽FET。相較現有UJC3系列，FAST系列具有更快的切換速度和更高的效率水準。
基於UnitedSiC專有的疊接配置技術，新發布的系列產品在具備更高開關速度的同時，也能夠為大多數TO-247-3L IGBT，Si-MOSFET和SiC-MOSFET組件提供「直接」替代解決方案方案。
這意味著系統可以輕鬆升級到更高性能和效率，而無需更改現有的閘極驅動電路。由於的Qrr可減小50％，因而能夠降低導通損耗。對於高電流使用，僅需一個小型，低成本的RC緩衝器，這簡化了系統的抗電磁干擾設計。
UF3C FAST系列適合於應用各種硬切換電路，如主動整流器和圖騰柱PFC級，通常可用於電動車（EV）充電、電信整流器和伺服器電源等。
UF3C FAST系列基於UnitedSiC的第三代SiC電晶體技術，將更快的SiC JFET和定制設計的Si-MOSFET整合在一起，能夠實現通常處於關閉之高性能內接二極體和MOSFET簡易閘極驅動理想組合。相較其他寬能帶間隙（wide band-gap）技術，SiC疊接元件支援標準的12V閘極驅動，並能夠確保雪崩額定值（100％經過生產測試）。
UnitedSiC工程副總裁Anup Bhalla表示：「UnitedSiC的新型FAST SiC FET系列可以很輕鬆地使用，並具有低成本、高性能。該產品系列在高功率設計應用中使設計工程師有機會實現更高的效率。」
