AI晶片與高效能運算需求推動半導體封裝朝大型化、高密度與異質整合發展，重布線層（RDL）的線路精度與製造效率，已成為先進封裝設備升級的關鍵。日本Nikon啟動新一代數位曝光系統開發計畫，獲日本新能源產業技術綜合開發機構（NEDO）選定，將挑戰0.5微米線寬／線距（L/S）解析度，強化面板級封裝的大面積精密曝光能力。
尼康目前已開發解析度1.0微米及1.5微米的數位曝光設備，疊對精度可達±0.3微米以下。新計畫將進一步把解析度提升至0.5微米，疊對精度改善至±0.15微米以下，同時以較傳統設備降低50%能源消耗為研發目標。
AI晶片帶動RDL製程升級，0.5微米數位曝光與先進封裝設備挑戰高精度與低功耗。
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隨著AI加速器整合更多運算晶片與高頻寬記憶體（HBM），封裝內部需要更密集的訊號連接。RDL必須在有限面積內提供更細線路與更高布線密度，對曝光光學、基板定位、影像校正及製程控制提出更嚴格要求。
相較晶圓級封裝，面板級封裝可望利用較大的基板面積提高單次製程產出，但也面臨基板翹曲、熱變形及大面積疊對精度控制等挑戰。數位曝光技術若能兼顧解析度與處理效率，將有助於提高細線路製程彈性，降低大型封裝基板的製造難度。
值得注意的是，由於尼康此次公布的是研發計畫，0.5微米解析度、±0.15微米疊對精度及50%節能均為預定達成目標，仍須經過設備開發、製程驗證及客戶導入，才能確認量產表現。
先進封裝設備升級將帶動供應鏈中的高精度光學、精密運動平台、位置感測器、雷射加工、AOI及製程量測需求。結合台灣高階PCB、IC載板及智慧製造設備產業基礎，未來競爭焦點將由單機設備性能，轉向曝光、檢測、自動化與能源效率的整體製程整合。
