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搜尋「Super-Junction」,共 26

1.前言 近年來,全球耗電量逐年增加,在工業和交通運輸領域的成長尤為顯著。另外以化石燃料為基礎的火力發電和經濟活動所產生的CO2(二氧化碳)排放量增加已成為嚴重的社會問題。因此為了實現零碳社會,努力提高能源利用效率並實現碳中和,已成為全球共

近年來隨著照明用小型電源和泵浦用馬達的性能提升,對於在應用中發揮開關作用的MOSFET小型化產品需求漸增。半導體製造商ROHM推出採用SOT-223-3小型封裝(6.50mm×7.00mm×1.66mm)的600V耐壓Super Junct

近年來消費性電子和工控設備的電源在節能方面的要求升高,以期實現永續發展,因而能夠幫助提高功率轉換效率和實現元件小型化的GaN HEMT受到關注。但與Si MOSFET比較之下,GaN HEMT的閘極處理較為困難,必須與驅動閘極用的驅動器結合

ROHM在600V耐壓Super Junction MOSFET「PrestoMOS」產品陣容中,新增「R60xxRNx系列」3款新產品,非常適用於冰箱和排氣風扇等對低雜訊特性要求較高的小型馬達驅動。 近年來,全球電力供應日趨緊張,開始要求

為了加速超小型化USB PD充電器的設計,偉詮電子日前推出採用WT7162Rx高頻多模準諧振式反激式控制晶片搭配氮化鎵的超小型化USB PD充電器參考設計。 WT7162Rx PWM控制系列晶片是一款高度整合的高頻/多模式反激式PWM控制晶

碳化矽(SiC)功率元件的應用正快速且廣泛的成長中,尤其是電動車相關的市場,而SiC元件的性能優劣也成為供應商的決勝點。而專注於碳化矽元件技術開發的美商UnitedSiC(聯合碳化矽),今日推出了一款業界最佳的750V SiC FET產品,

本文將對NCP 51530與業界標準的兩個元件進行比較。計算NCP 51530用於主動鉗位返馳式 (Active Clamp Flyback;ACF) USB PD轉換器中的損耗。然後給出NCP 51530對比兩個競爭元件用於ACF應用中的實際熱性能。緊接著把採用NCP 51530ACF板的能效資料與採用兩個競爭元件的ACF板能效資料進行比較。

意法半導體推出之MDmesh DM6 600V MOSFET具備一個快速恢復二極體,將最新超接面(Super-Junction)技術的性能優勢導入全橋和半橋拓樸、零電壓切換(Zero-Voltage Switching,ZVS)相移轉換器等

意法半導體(STMicroelectronics;ST)的最新超接面(super-junction)功率MOSFET可滿足家電、低功耗照明以及太陽能微逆變器對電源能效的要求,同時提供更高的可靠性和最新且可滿足高功率密度的封裝選項。 MDme

半導體製造商ROHM株式會社(總公司:日本京都市)全新研發適合AC變壓器(Adapter)與各種家電初級電源AC/DC轉換器使用的電源IC「BM2Pxxx/BM2PxxxF系列」。 新系列有24種品項,採用自製低啟動電阻之超接合面(supe

意法半導體的STW78N65M5和STW62N65M5是業界首款採用深受市場歡迎的TO-247封裝的650V AEC-Q101車規MOSFET。在高電壓突波(high-voltage spikes)的環境中,650V額定電壓能夠?目標應用帶

橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體推出了首款採用新封裝技術的MDmesh V 超接面(Super-Junction)MOSFET,新封裝可提升家用電器、電視機、個人電腦、電信設備和伺服器開關電源的功率電路能效。 新的TO

羅姆電子(ROHM株式會社)於日前宣布全新推出創新低導通電阻之高耐壓型功率MOSFET,「R5050DNZ0C9」(500V/50A/typ,34mΩ max45mΩ),適合太陽能發電系統的功率調節器使用。 隨著節能議題愈來愈受到關注,其中

意法半導體(ST)日前推出MDmesh V系列。MDmesh V系列是高性能MOSFET產品,擁有極低的每單位面積導通電組(on-resistance per area),在650V額定電壓應用中可實現高能效和功率密度;對於以熱量形式損耗電