意法半導體推出之MDmesh DM6 600V MOSFET具備一個快速恢復二極體，將最新超接面（Super-Junction）技術的性能優勢導入全橋和半橋拓樸、零電壓切換（Zero-Voltage Switching，ZVS）相移轉換器等的拓樸結構裡通常需要一個穩定可靠的二極體來處理動態dV/dt的應用。
MDmesh DM6 MOSFET利用意法半導體先進的載流子壽命控制技術減少反向恢復時間（trr），最大限度地降低續流後關斷期間二極體的耗散功率。優化的軟性恢復增加了產品的可靠性。此外，極低的閘極電荷（Qg）和導通電阻（RDS(ON)）以及針對輕負載優化的電容曲線，使應用能夠帶來更高的工作頻率和效能，並簡化散熱管理設計和降低EMI干擾。
這些新元件適用於電動車的充電樁、電信設備或數據中心電源轉換器，以及太陽能逆變器等，更穩定的性能和更高的功率密度讓應用設計的電力額定參數更加優異。
