意法半導體的STW78N65M5和STW62N65M5是業界首款採用深受市場歡迎的TO-247封裝的650V AEC-Q101車規MOSFET。在高電壓突波（high-voltage spikes）的環境中，650V額定電壓能夠?目標應用帶來更高的安全系數，有助於提高汽車電源和控制模組的可靠性。這兩款元件擁有極低的導通電阻（RDS（ON）），分別?0.032Ω 和0.049Ω，結合精巧的TO-247封裝，可提高系統能效和功率密度。
新?品市場領先的性能歸功於意法半導體的MDmesh V 超接面（super-junction）技術。此項技術可製造單位矽面積導通電阻RDS（ON）極低的高電壓元件，使晶片的封裝尺寸變得更小。閘電荷（Qg）和輸入電容也極低，因此，Qg x RDS（ON）品質因數（figure of merit，FOM）極其出色，並擁有高開關性能和能效。此外，其優異的抗雪崩（avalanche）特性可確保元件在持續高電壓環境中擁有高耐用性。
MDmesh V整合意法半導體專有的垂直式製程（vertical process）技術和經市場驗證的PowerMESH水平式架構（horizontal architecture），導通電阻較同等級的MDmesh II元件減少大約50%。
意法半導體採用TO-247封裝的650V車規MOSFET現已量?。
