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搜尋「GaN功率元件」,共 30

生成式AI與高效能運算快速發展,正將資料中心的競爭焦點,從單純追求運算效能,推向更根本的電力問題。當單一機架需要承載更高功率,系統業者面臨的不只是供電量增加,還包括轉換損耗、散熱、空間、可靠度與建置成本同步上升。AI資料中心的下一場競賽,將

半導體製造商ROHM融合自家GaN功率元件開發和製造技術,以及合作夥伴台積公司(TSMC)的製程技術,在集團內部建立一體化生產體系。透過取得台積公司的GaN技術授權,ROHM將進一步增強相應產品的供應能力,進而滿足AI伺服器和電動車等領域對

隨著運算需求不斷地提高,新興能源也同步崛起,傳統矽基半導體材料逐漸逼近其物理極限,而寬能隙半導體材料以其優越的性能,漸漸走入主流的電子系統設計之中。

隨著高密度封裝和熱管理技術的進步,我們將看到更高效、更可靠的高功率元件應用於各不同產業,推動技術的持續演進。在這個挑戰與機遇並存的時代,持續的研發投入與技術創新將成為決勝關鍵。

豐田合成株式會社近日宣布,其提升氮化鎵(GaN)基板性能的技術已獲得驗證,能有效改善功率元件性能。相關研究成果已發表於國際固態物理學期刊。 更優異的功率元件在電力調節方面扮演關鍵角色,對於減少社會碳排放至關重要。將功率元件的材料從矽轉換為氮

資策會產業情報研究所(MIC)發布臺灣半導體產業預測,並展望第三類半導體台廠商機,同時關注電子業面臨全球淨零壓力,企業如何規劃短中長期的策略因應。綜觀全球半導體趨勢,2023年以來總體經濟疲弱、終端需求低迷導致企業與消費市場買氣不佳,從終端

空中巴士(Airbus)和意法半導體(STMicroelectronics)近期簽立了一項功率電子技術研發合作協議,以促進功率電子元件更高效率和更輕量化,這對於未來的油電飛機和純電動城市飛行器發展至關重要。 在簽署該合作協議之前,雙方已充分

宏光半導體有限公司宣佈,已開始生產其自家6英寸氮化鎵(「GaN」)功率元件晶圓,遠早於預期時間表,乃其轉型成為第三代半導體GaN 供應商的重要成果。 宏光半導體近年積極實現相關業務轉型。集團之技術團隊利用其豐富經驗,在三個月調試生產設備和技

GaN具有獨特的優勢,提供卓越的性能和效率,並徹底改變數據中心的配電和轉換、節能、減少對冷卻系統的需求,並最終使數據中心更具成本效益和可擴展性。

多年來,功率半導體以矽為基礎,但碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)等第三類半導體材料出現,讓功率半導體元件的應用更為多元。

羅姆半導體集團(ROHM Semiconductor)宣布與台達電子(Delta Electronics, Inc.)在第三代半導體GaN(氮化鎵)功率元件的研發、量產上締結戰略合作夥伴關係。 具體合作內容乃結合台達長年累積的先端電源研發技

聯華電子、宏誠創投(聯電持股100%子公司)及頎邦科技董事會今日分別通過股份交換案,聯華電子及頎邦科技兩家公司將建立長期策略合作關係。 聯電以先進製程技術提供晶圓製造服務,為IC產業各項應用產品生產晶片,並且持續推出尖端製程技術及完整的解決

TrendForce表示,2021年隨著各國於5G通訊、消費性電子、工業能源轉換及新能源車等需求拉升,驅使如基地台、能源轉換器(Converter)及充電樁等應用需求大增,使得第三代半導體GaN及SiC元件及模組需求強勁。其中,以GaN功率

GaN的固有特性,讓元件具有更高的擊穿電壓和更低的通態電阻,亦即相較於同尺寸的矽基元件,GaN可處理更大的負載、效能更高,而且物料清單成本更低。

網路連接與安全創新技術商是德科技(Keysight Technologies Inc. )宣布推出客製化氮化鎵(GaN)測試板,適用於是德科技旗下的動態功率元件分析儀/雙脈衝測試儀(PD1500A),可協助供應商和OEM功率轉換器設計人員,

根據TrendForce調查,2018至2020年第三代半導體產業陸續受到中美貿易摩擦、疫情等影響,整體市場成長動力不足致使年增率持續受到壓抑。然受惠於車用、工業與通訊需求挹注,2021年第三代半導體成長動能有望高速回升。其中又以GaN功率