搜尋

會員登入

搜尋

導覽

會員
廣告
廣告

豐田合成GaN基板技術獲突破 功率元件性能大幅提升

瀏覽次數:3226

豐田合成株式會社近日宣布,其提升氮化鎵(GaN)基板性能的技術已獲得驗證,能有效改善功率元件性能。相關研究成果已發表於國際固態物理學期刊。

更優異的功率元件在電力調節方面扮演關鍵角色,對於減少社會碳排放至關重要。將功率元件的材料從矽轉換為氮化鎵,可節省90%的能源,並實現性能更佳的元件,而這需要量產更大、品質更高的GaN基板。

日本環境省正在主導一項廣泛應用 GaN功率元件的項目,豐田合成則提供技術以獲得理想的GaN晶體。該項目的一項成果是,使用豐田合成與大阪大學共同開發的 GaN種晶所製造的 GaN基板,功率元件性能得到顯著提升。與使用市售基板製造的功率元件相比,使用這些 GaN基板的功率元件在功率調節能力和良率方面均表現更佳。

豐田合成將繼續與政府、大學和其他企業合作,加速推廣高品質 GaN基板的應用,為實現節能減碳貢獻力量。

稀土棋局下的台灣解方:從供應鏈韌性看關鍵礦物合作新契機
特別企劃半導體

稀土棋局下的台灣解方:從供應鏈韌性看關鍵礦物合作新契機

稀土與關鍵礦物已成全球科技競爭與經濟安全的重要戰略資源。面對供應鏈高度集中與地緣風險升高,台灣如何透過國際合作、技術替代、戰略儲備與城市採礦,建立自主且具韌性的關鍵礦物供應體系?

稀土與關鍵礦物已成全球科技競爭與經濟安全的重要戰略資源。面對供應鏈高度集中與地緣風險升高,台灣如何透過國際合作、技術替代、戰略儲備與城市採礦,建立自主且具韌性的關鍵礦物供應體系?

關鍵字:GaN