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宏光氮化鎵功率元件晶圓正式投產 實現GaN商業化落地

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宏光半導體有限公司宣佈,已開始生產其自家6英寸氮化鎵(「GaN」)功率元件晶圓,遠早於預期時間表,乃其轉型成為第三代半導體GaN 供應商的重要成果。

宏光半導體近年積極實現相關業務轉型。集團之技術團隊利用其豐富經驗,在三個月調試生產設備和技術,成功產出達至國際大廠的高良率標準晶圓,並陸續開始銷售。

宏光預期2023年第二季將開始晶片試產,於2024年初前開始投產。此外,亦已於今年下半年推出GaN相關之快速充電產品如快充充電器。

稀土棋局下的台灣解方:從供應鏈韌性看關鍵礦物合作新契機
特別企劃半導體

稀土棋局下的台灣解方:從供應鏈韌性看關鍵礦物合作新契機

稀土與關鍵礦物已成全球科技競爭與經濟安全的重要戰略資源。面對供應鏈高度集中與地緣風險升高,台灣如何透過國際合作、技術替代、戰略儲備與城市採礦,建立自主且具韌性的關鍵礦物供應體系?

稀土與關鍵礦物已成全球科技競爭與經濟安全的重要戰略資源。面對供應鏈高度集中與地緣風險升高,台灣如何透過國際合作、技術替代、戰略儲備與城市採礦,建立自主且具韌性的關鍵礦物供應體系?