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搜尋「DRAM」,共 3541

AI晶片供應鏈的在地化,正從GPU與伺服器進一步延伸至高頻寬記憶體(HBM)。SK hynix於美國印第安納州West Lafayette正式啟動先進封裝基地,投資逾40億美元,規畫2029年下半年開始量產下一代HBM,並且明確將HBM4E

imec的量測專家在本文帶領讀者探索深耕40年的晶圓廠量測與檢測技術,瞭解圖形化和元件創新歷史的四大時期,提供imec前瞻量測發展藍圖,其發展動力與多項重大挑戰相關,包含尺寸微縮和3D技術的興起,還有成本和永續發展需求。

AI PC的競爭常被濃縮成一個數字:NPU有多少TOPS。然而,一部真正可用的AI PC,從來不是把一顆NPU放進既有筆電就完成。

SK海力士規劃投資約38.7億美元,在美國印第安納州西拉法葉(West Lafayette)建立HBM先進封裝生產及研發基地,並與普渡大學等研究機構合作。官方規劃顯示,新基地預計2028年下半年投入營運,將成為美國重要的HBM先進封裝據點。

AI伺服器持續推升高頻寬記憶體需求,2026年HBM市場正式由HBM3E跨入HBM4世代,產業成長紅利開始由三星電子、SK海力士等記憶體大廠,向韓國半導體設備供應鏈快速擴散。隨著HBM4進入量產,以及12層、16層堆疊技術持續演進,TC B

imec的量測專家將在本文帶領讀者探索深耕40年的晶圓廠量測與檢測技術,瞭解圖形化和元件創新歷史的四大時期,同時提供imec的前瞻量測發展藍圖,其發展動力與多項重大挑戰相關,包含尺寸微縮和3D技術的興起,還有成本和永續發展的需求。

因應DRAM供不應求格局將延續至2027年,且原廠對於HBM4e的驗證進度存在變數。依TrendForce最新研究自2026年Q3起,除NVIDIA已對Rubin Ultra的HBM配置從HBM4e 12hi,改為並行評估HBM4e 8hi

聯發科技舉行 2026 年第二季法人說明會,公布單季營收達新台幣 1,520 億元,超越先前營運目標上緣。受惠於前沿 AI 模型與 Agentic AI帶動的算力需求,聯發科不僅調升 2027 年資料中心可服務市場規模(SAM)與市占率目標

人工智能伺服器需求持續成長,帶動高頻寬記憶體市場快速擴張,也進一步改變全球DRAM產業的供需結構。由於HBM生產需要大量高階DRAM晶圓產能,三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK hynix)與美光(Micr

中國記憶體產業發展再邁進一步。市場消息指出,中國DRAM大廠長鑫存儲(CXMT)預計於7月27日正式在上海科創板(STAR Market)掛牌上市,預計募資約295億元人民幣(約43.5億美元),可望成為亞洲今年規模最大的首次公開募股(IP

隨著AI軟硬體不斷演進,記憶體的重要性如今已幾乎與算力並列,成為最重要的戰略資產。

受惠於消費性應用需求下修及高基期作用,根據TrendForce最新記憶體價格調查,2026年Q3整體DRAM格局持續極度緊阿,但合約價漲幅收斂,預計將季增13-18%。 其中NAND Flash主要需求,仍由AI推論與大型資料中心建置支撐。

為滿足DRAM與先進封裝技術創新需求,應用材料公司近期推出一系列晶片製造新系統,以支援製造新一代AI晶片所需的3D架構。包含專為DRAM晶圓廠打造的磊晶(Epitaxy)系統、化學機械平坦化(CMP)與沉積系統、電子束系統(eBeam),挑

面對全球人工智慧與新世代晶片需求的劇烈競爭,南韓政府今日投下震撼彈。由總統李在明親自主持國家大躍進發表會,正式宣告與三星電子、SK 海力士聯手,將斥資高達 800 兆韓元(約 5,180 億美元、新台幣 17 兆元)展開超大型半導體聚落建置

記憶體大廠美光(Micron)最新公布的 2026 會計年度第三季(3月至5月)財報震驚全球市場。單季銷售額達 414.56 億美元,年增高達 4.5 倍;淨利潤暴增 15 倍至 282.43 億美元,毛利率更衝上難以想像的 86%。 這份

美光科技與Anthropic達成策略合作協議,合作範疇涵蓋記憶體與儲存 AI 系統架構設計、供應安排、美光內部導入 Claude 企業級應用,以及對 Anthropic H 輪融資進行策略性投資。此項協議直接將先進 AI 模型的需求,與基礎

本周2026年IEEE/JSAP超大規模積體電路(VLSI)技術與電路研討會上,比利時微電子研究中心(imec)發表了有關鐵電記憶體研究的兩大進展,鎖定鐵電電容器與鐵電場效電晶體(FET)這兩者作為實現低電壓運作和高密度記憶體整合的潛力方案