SK海力士規劃投資約38.7億美元，在美國印第安納州西拉法葉（West Lafayette）建立HBM先進封裝生產及研發基地，並與普渡大學等研究機構合作。官方規劃顯示，新基地預計2028年下半年投入營運，將成為美國重要的HBM先進封裝據點。
值得注意的是，相關廠區實際上已於今年4月展開打樁等基礎工程，近期韓媒所稱8月27日「動土」，較適合理解為正式動土典禮，而非工程首次啟動。此外，SK海力士同步在韓國清州擴充先進封裝與測試能力，形成「韓國製造基地＋美國封裝研發」雙軸布局。
從產業布局來看，SK海力士正把HBM競爭從DRAM晶片本身延伸至封裝、測試與客戶端供應鏈。當AI GPU必須同時整合先進邏輯晶片、HBM與高密度封裝，決定AI晶片供貨能力的已不再只是先進製程產能，而是「邏輯晶片＋HBM＋先進封裝」三者能否同步擴產。台積電擴大CoWoS生態系、SK海力士強化HBM封裝基地，正反映全球AI半導體競爭已進入以先進封裝產能為核心的新階段。
決定AI晶片供貨能力的是「邏輯晶片＋HBM＋先進封裝」三者能否同步擴產。
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對台灣設備、封測與材料業者而言，SK海力士的韓美擴產不只是競爭訊號，也可能成為繼台積電CoWoS之外，另一條值得布局的AI先進封裝供應鏈。記憶體廠正逐步從單純提供HBM元件，轉向掌握更完整的AI記憶體後段製造能力。未來若HBM4及後續世代持續提高I/O密度與封裝複雜度，晶圓鍵合、測試、熱管理及先進封裝設備的重要性將同步提高。
