英飛凌首款針對AI資料中心HVDC架構的24 kW SiC BBU參考設計問世 (2026.08.12)
英飛凌科技推出新款 24 kW 電池備份單元（BBU）DC-DC 參考設計。其專為AI資料中心的高壓直流母線架構而設計，是業內首款可直接在電池組與 800 V 直流母線之間運行的解決方案，採用了 650 V 和 1200 V 碳化矽（SiC…
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定義兆瓦級AI工廠 英飛凌以固態電力技術 驅動直流微電網革命 (2026.04.30)
在代理式AI發展如火如荼的新時代，全球對算力的需求正以倍速增加，這股力量也直接拉升了資料中心的能耗基準，傳統的電力架構已難以支撐未來的AI算力需求。 英飛凌（Infineon）的技術專家們一致指出：要解開這場能源枷鎖，核心關鍵在於從電網到處…
碳化矽市場持續升溫 SiC JFET技術成為關鍵推動力 (2024.12.11)
隨著全球對高效能源與高性能技術需求的增加，碳化矽（SiC）市場正迎來快速增長。碳化矽材料因其優異的熱穩定性、高擊穿電壓與高功率密度性能，成為許多高效能應用的首選，涵蓋電動車、再生能源系統以及資料中心等領域。特別是在人工智慧（AI）驅動的資料…
GE科學家展示超高溫SiC MOSFET效能 承受超過800 ℃ (2023.06.02)
來自通用電氣研究（GE Research）的科學家們創造了一項新記錄，展示可以承受超過溫度 800 ℃的金屬-氧化物-半導體場效應晶體管（SiC MOSFET）。這相較於之前已知的該技術演示高出 200℃，對於極端操作環境中未來應用深具潛力…
貿澤電子即日起供貨TI BUF802高速緩衝運算放大器 (2022.09.22)
貿澤電子（Mouser Electronics）即日起供貨Texas Instruments（TI）的BUF802高速緩衝運算放大器。BUF802能讓資料擷取（DAQ）系統中的訊號頻寬以指數增加，以便設計工程師將DAQ前端設計運用到示波器、…
Qorvo推出750V SiC FET 封裝D2PAK-7L提供更大靈活性 (2022.07.27)
Qorvo今日宣佈推出採用表面貼裝D2PAK-7L封裝的七款750V碳化矽（SiC）FET，借助此封裝選項，Qorvo SiC FET可為車載充電器、軟切換DC/DC轉換器、電池充電（快速DC和工業）以及IT/伺服器電源等快速增長應用量身客…
透過新方法為訊號鏈系統建立電源解決方案 (2022.05.25)
訊號鏈系統將實體世界中的類比數據連接到處理數據的數位世界。然而為訊號鏈系統供電會是一項挑戰，因為電源不可以降低系統的整體性能。線性穩壓器可以防止性能降低，但代價是功率損耗增加，因此效率降低。 另一方面，開關穩壓器可明顯提升效率，但其開關特性…
UnitedSiC推出最小導通電阻6mΩ SiC FET 耗損僅競品的一半 (2021.09.14)
碳化矽（SiC）功率元件的應用正快速且廣泛的成長中，尤其是電動車相關的市場，而SiC元件的性能優劣也成為供應商的決勝點。而專注於碳化矽元件技術開發的美商UnitedSiC（聯合碳化矽），今日推出了一款業界最佳的750V SiC FET產品，…
賦能未來，勇往直前：SiC MOSFET問世10周年的思索 (2021.04.20)
在SiC MOSFET問世10周年之際，作者回顧科銳公司十年歷史所經歷的關鍵時刻，並認為未來的發展會比過去曾經歷的增長還要巨大，也為下一步即將增長的產業曲線提出卓見。…
X-FAB Silicon Foundries SE continues to drive the adoption of silicon-carbide (SiC) technology forward by offering SiC f…
UnitedSiC has added two new TO220-3L package options to its growing range of hard-switching UF3C FAST series of 650V SiC…
UnitedSiC推出用於低功率AC-DC返馳式轉換器的SiC JFET系列 (2019.03.21)
UnitedSiC推出一系列適用於與具備內建低壓MOSFET的控制器IC共同封裝的SiC JFET晶片，可製造出速度快，基於疊接的20W至100W返馳式產品。這些常導通式SiC JFET的操作電壓範圍為650V至1700V，可幫助實現簡化的…
UnitedSiC發布全新UF3C FAST碳化矽FET系列產品 (2018.11.06)
碳化矽（SiC）功率半導體製造商UnitedSiC宣布推出採用標準TO-247-3L封裝之UF3C FAST系列650V和120V高性能碳化矽FET。相較現有UJC3系列，FAST系列具有更快的切換速度和更高的效率水準。 基於UnitedS…
TI新型高壓放大器 提高誤差敏感工業應用的準確度 (2018.06.20)
德州儀器（TI）推出三款兼具高速和高精密度的新型放大器，可讓設計人員為誤差敏感型應用創造更準確的電路。新裝置支援各項經由測試與量測、醫療和資料採集系統所輸入的訊號進行更精確的量測和更快的處理。 設計人員可選擇符合其系統需求的放大器架構，其輸…
盛群針對高輸出功率LED燈應用照明驅動IC─HT7L5820 (2015.11.06)
盛群推出HT7L5820主要應用於30W至150W高輸出功率LED燈，如戶外照明之路燈、街燈與室內照明之天花燈、吸頂燈，此外也可應用於適配器、交換式電源供應器與電池充電器之恆壓（CV）與恆流（CC）輸出應用。 HT7L5820整合功率因素校…
溝槽構造SiC-MOSFET可大幅降低導通電阻 (2015.08.14)
ROHM近日研發出採用溝槽結構的SiC-MOSFET，並已建立完備的量產體制。與量產中的平面型SiC-MOSFET相比，同一晶片尺寸的導通電阻可降低50%，這將大幅降低太陽能發電用功率調節器和工業設備用電源、工業用變流器等所有相關設備的功率…
盛群推出應用於高輸出功率LED燈之照明驅動IC─HT7L5821 (2015.08.14)
盛群（HOLTEK）推出HT7L5821，主要應用於功率因素校正（PFC）與準諧振（Quasi-Resonant）PWM雙級式LED電源系統，如戶外照明之路燈、街燈與室內照明之天花燈、吸頂燈，提供高功率高效率高安全性之LED照明需求，此外，…
The HT7L5821 is a Power Factor corrected Quasi-Resonant PWM controller for two stage LED power supply systems. Suitable …
Hua Hong Semiconductor announced that it has achieved mass production of its new-generation ultra-high voltage 0.5um 700…
是德科技推出用於電力電路設計的 功率元件電容分析儀 (2014.08.12)
是德科技（Keysight Technologies Inc.）日前宣佈推出一款能夠在實際操作電壓下自動測試功率元件接面電容的功率元件電容分析儀。 隨著使用碳化矽（SiC）和氮化?（GaN）等新材料製成的功率元件不斷問世，切換式電源供應器現…