Power Integrations發表2200V GaN技術 拓展高壓電力系統應用 (2026.08.07)
Power Integrations（PI）宣布推出 2200 V PowiGaN 氮化鎵技術。該技術提升了商用 GaN 元件的電壓等級，使 GaN 技術可應用於過往主要由碳化矽（SiC）主導的高壓領域，提供相關系統在功率密度、效率與架構設…
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Power Integrations超薄型PSU設計 適用於800VDC AI資料中心 (2026.06.01)
在COMPUTEX 2026前夕，高壓能效電源轉換整合晶片商Power Integrations今（1）日推出兩款專為800VDC AI資料中心打造的新款超薄緊湊型輔助電源供應器（PSU）參考設計，首度採用高度整合、耐1700V額定電壓的P…
磷化銦與氮化鎵在太赫茲頻段的技術挑戰 (2026.03.13)
無線通訊技術即將從5G邁向6G，頻譜資源的開發已從毫米波（mmWave）進一步延伸至太赫茲（THz）頻段。太赫茲波通常定義為0.1至10THz之間的電磁波，其位於微波與紅外線之間，不僅具備極其寬廣的可用頻寬，還擁有獨特的穿透性與空間解析度。…
台瑞科技交流 聚焦半導體、量子科技與綠色能源 (2026.01.29)
國科會與瑞典策略研究基金會（Swedish Foundation for Strategic Research, SSF）自今（29）日起，連續兩天在宜蘭舉行雙邊科技合作成果交流研討會「Taiwan–Sweden（NSTC–SSF）Bila…
半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）的EcoGaN Power Stage IC已應用於電競用筆記型電腦等MSI（微星）產品的AC Adapter。這款AC Adapter由全球領先的電源製造商-台達開發，採用ROHM的EcoGaN …
Power Integrations (NASDAQ：POWI)，這家節能型功率轉換領域的高壓積體電路領導廠商，今日展示了其 PowiGaN 氮化鎵技術對於新一代 AI 資料中心的優點。Power Integrations 在聖荷西舉辦的 …
Imec攜伴研究12吋氮化鎵 降成本開發先進功率元件 (2025.10.08)
看好氮化鎵技術在功率電子應用的發展潛力，比利時微電子研究中心（imec）近日攜手愛思強（AIXTRON）、格羅方德（GlobalFoundries）、美商科磊（KLA）、新思科技（Synopsys）與威科儀器（Veeco）等，成為其12吋氮…
「Power Eco Family」 ROHM功率半導體產品介紹 (2025.10.01)
1.前言 近年來，全球耗電量逐年增加，在工業和交通運輸領域的成長尤為顯著。另外以化石燃料為基礎的火力發電和經濟活動所產生的CO2（二氧化碳）排放量增加已成為嚴重的社會問題。因此為了實現零碳社會，努力提高能源利用效率並實現碳中和，已成為全球共…
澳洲團隊成功將量子機器學習應用於半導體製造過程 (2025.07.04)
近日，澳洲聯邦科學與工業研究組織（CSIRO）領導的國際團隊發表創新成果，首次成功將量子機器學習（Quantum Machine Learning, QML）技術應用於半導體製造過程，重點聚焦在氮化鎵（GaN）高電子遷移率電晶體（HEMT）…
ROHM開始量產適合高耐壓GaN元件驅動的絕緣閘極驅動器IC (2025.05.27)
半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）推出一款適用於600V高耐壓GaN HEMT驅動的絕緣閘極驅動器IC「BM6GD11BFJ-LB」。透過與本產品組合使用，可使GaN元件在高頻、高速開關過程中實現更穩定的驅動，有助馬達和伺服器電源等…
ROHM推出業界頂級超低導通電阻小型MOSFET (2025.05.15)
半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）推出30V耐壓共源Nch MOSFET*1新產品「AW2K21」，封裝尺寸僅為2.0mm×2.0mm，導通電阻*2低至2.0mΩ（Typ.），達到業界頂級水準。 新產品採用ROHM獨家結構，不僅提高…
ROHM將以E-Mobility與工控應用參展PCIM Europe 2025 (2025.05.14)
半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）將於2025年5月6日至8日參加在德國紐倫堡舉辦的PCIM（PCIM Expo & Conference）展會暨研討會。該展會是電力電子、智慧移動、可再生能源及能源管理領域的國際頂級盛會。ROHM將…
半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）的650V耐壓、TOLL封裝的EcoGaN?產品GaN HEMT，被日本先進電子元件、電池和電源製造商村田製作所集團旗下Murata Power Solutions的AI（人工智慧）伺服器電源所採用…
ROHM 650V耐壓GaN HEMT新增小型、高散熱TOLL封裝 (2025.02.13)
半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）已將TOLL（TO-LeadLess）封裝的650V耐壓GaN HEMT*1「GNP2070TD-Z」投入量產。TOLL封裝不僅體積小，散熱性能出色，還具有優異的電流容量和開關特性，因此在工業設備、…
ROHM與台積公司在車載氮化鎵功率元件領域建立戰略合作夥伴關係 (2024.12.10)
半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）宣佈與Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited （以下簡稱 台積公司）在車載氮化鎵功率元件的開發和量產事宜建立戰略合作夥伴關係。 透過該合…
ROHM參展2024慕尼黑電子展以E-Mobility、車用和工控為展示主軸 (2024.11.06)
現今電子系統的需求日益成長，尤其是在永續經營和急需創新的市場方面，先進技術將成為助力。半導體製造商ROHM將於11月12日至15日參加在德國慕尼黑舉辦的2024慕尼黑電子展（electronica 2024），展示提高車用和工控中功率密度、…
Nexperia的AC/DC反激式控制器可實現更高功率密度 (2024.10.29)
控制器可提高電源效率並降低待機功耗 Nexperia推出一系列新AC/DC反激式控制器，擴展電源IC產品組合。NEX806/8xx和NEX8180x專為基於GaN的反激式轉換器而設計，用於PD(Power Delivery)快速充電器、適配…
Nexperia交流/直流反激式控制器IC可提高電源效率並降低待機功耗 (2024.10.17)
Nexperia推出一系列新的交流/直流反激式控制器，為擴展電源IC產品組合的最新成員。 NEX806/8xx和NEX8180x專為諸如供電（PD）充電器、適配器、牆壁插座、條形插座、工業電源和輔助電源以及其他需要高功率的AC/DC轉換應用…
三菱電機為Ka頻段衛星通訊地球站提供GaN MMIC功率放大器 (2024.06.14)
三菱電機（Mitsubishi Electric）今（14）日宣布，將開始出貨用於Ka 波段衛星通訊的8W 和14W 氮化鎵（GaN）單片微波積體電路（MMIC）功率放大器樣品—7 月 1 日起啟用通訊（SATCOM）地球站。 衛星通訊的主…
ROHM EcoGaN產品被台達電子45W輸出AC適配器採用 (2024.02.27)
半導體製造商ROHM推出的650V GaN元件（EcoGaN），被台灣台達電子（Delta Electronics）的45W輸出AC適配器「Innergie C4 Duo」 採用。該產品透過搭載可提高電源系統效率的ROHM EcoGaN「G…