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搜尋「DRAM 層」,共 562

HBM4將AI記憶體競爭推向更複雜的3D異質整合。除了提高頻寬與堆疊容量,新一代HBM開始把DRAM Stack與Logic Base Die、TSV及先進封裝更緊密整合,製程中的微小Void、Bump異常、Bonding偏移或TSV缺陷,

AI晶片持續拉升HBM需求,記憶體競爭正在由容量、頻寬與傳輸速度,進一步深入「良率工程(Yield Engineering)」。隨著HBM從8、12往16堆疊發展,TSV、Micro-bump與Bonding結構更加密集,任何單DR

中國AI晶片自主化正進入更困難的下半場。華為、寒武紀、沐曦等業者持續推出國產AI加速器,逐步降低對NVIDIA依賴,但真正限制系統效能與量產規模的關鍵,已由單純GPU/NPU設計能力轉向HBM高頻寬記憶體。HBM也因此成為中國建立完整AI算

AI伺服器記憶體競爭正從HBM延伸至完整Memory/Storage Hierarchy。Kioxia 9月3日舉行技術說明會,提出AI時代NAND策略,依照不同工作負載配置低延遲XL-FLASH、TLC與高容量QLC,並透過CXL記憶體擴

AI晶片供應鏈的在地化,正從GPU與伺服器進一步延伸至高頻寬記憶體(HBM)。SK hynix於美國印第安納州West Lafayette正式啟動先進封裝基地,投資逾40億美元,規畫2029年下半年開始量產下一代HBM,並且明確將HBM4E

imec的量測專家在本文帶領讀者探索深耕40年的晶圓廠量測與檢測技術,瞭解圖形化和元件創新歷史的四大時期,提供imec前瞻量測發展藍圖,其發展動力與多項重大挑戰相關,包含尺寸微縮和3D技術的興起,還有成本和永續發展需求。

AI PC的競爭常被濃縮成一個數字:NPU有多少TOPS。然而,一部真正可用的AI PC,從來不是把一顆NPU放進既有筆電就完成。

AI伺服器持續推升高頻寬記憶體需求,2026年HBM市場正式由HBM3E跨入HBM4世代,產業成長紅利開始由三星電子、SK海力士等記憶體大廠,向韓國半導體設備供應鏈快速擴散。隨著HBM4進入量產,以及12、16堆疊技術持續演進,TC B

imec的量測專家將在本文帶領讀者探索深耕40年的晶圓廠量測與檢測技術,瞭解圖形化和元件創新歷史的四大時期,同時提供imec的前瞻量測發展藍圖,其發展動力與多項重大挑戰相關,包含尺寸微縮和3D技術的興起,還有成本和永續發展的需求。

因應DRAM供不應求格局將延續至2027年,且原廠對於HBM4e的驗證進度存在變數。依TrendForce最新研究自2026年Q3起,除NVIDIA已對Rubin Ultra的HBM配置從HBM4e 12hi,改為並行評估HBM4e 8hi

隨著AI軟硬體不斷演進,記憶體的重要性如今已幾乎與算力並列,成為最重要的戰略資產。

為滿足DRAM與先進封裝技術創新需求,應用材料公司近期推出一系列晶片製造新系統,以支援製造新一代AI晶片所需的3D架構。包含專為DRAM晶圓廠打造的磊晶(Epitaxy)系統、化學機械平坦化(CMP)與沉積系統、電子束系統(eBeam),挑

本周2026年IEEE/JSAP超大規模積體電路(VLSI)技術與電路研討會上,比利時微電子研究中心(imec)發表了有關鐵電記憶體研究的兩大進展,鎖定鐵電電容器與鐵電場效電晶體(FET)這兩者作為實現低電壓運作和高密度記憶體整合的潛力方案

於本周進行的2026年IEEE/JSAP超大規模積體電路(VLSI)技術與電路研討會上,比利時微電子研究中心(imec)與索尼(Sony)共同發表一套用來建立超高密度晶背內連的創新整合模組,這些連接是3D堆疊和晶背功能化技術的關鍵組件。 該

隨著生成式AI快速從雲端向邊緣端延伸,邊緣推論的工作負載正大幅改變個人電腦的儲存需求。慧榮科技(Silicon Motion)於COMPUTEX 2026大展中,聚焦邊緣AI、實體AI與AI工廠等應用,展示了一系列尖端儲存創新技術。其中,專

隨著人工智慧工作負載從模型訓練邁向大規模推論與AI代理系統,半導體生態系正迎來一場深刻的結構性轉型。美光科技(Micron)於COMPUTEX 2026展會期間指出,AI時代的系統效能正前所未有地取決於記憶體的頻寬與容量,記憶體與儲存技術已

AMD與三星電子宣布簽署合作備忘錄(MOU),雙方將在下一代AI記憶體與運算技術上擴大策略合作。簽署儀式於三星位於韓國平澤最先進的晶片製造園區舉行,由AMD董事長暨執行長蘇姿丰博士與三星電子副會長暨執行長全永鉉共同出席。 根據此合作備忘錄,