AI記憶體的產能排擠效應正在進入更明確的量化階段。三星電子（Samsung Electronics）高層表示，HBM目前約占全球DRAM晶圓產能20%，預估明年可能逼近30%。由於HBM與一般DRAM共用部分晶圓製造能力，當記憶體大廠持續提高HBM配置，DDR5、伺服器DRAM等產品可取得的產能將受到進一步壓縮。
HBM對產能的消耗又高於一般DRAM。除了需要更多DRAM Die，後續還必須經過TSV、晶圓/晶片鍵合、堆疊、成型及最終測試，使得AI記憶體同時消耗晶圓與產能分配。
這也解釋為何三星近期據報把新增DDR5模組及SSD後段製造更多交由外部合作夥伴，把內部空間優先配置給HBM與高價值企業產品。 HBM的擠出效應已不只發生在前段晶圓啟動，而開始向封裝、測試及模組組裝傳導。
由於HBM排擠效應，明年恐吃掉近三成DRAM晶圓產能。
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記憶體供應鏈因此出現雙重排擠：前端是HBM占用更多DRAM晶圓；後端則是高層數HBM需要更多Bonding、Stacking與測試資源。當AI客戶又透過長期合約提前鎖定產能，一般Server DRAM、DDR5甚至部分NAND產品的供應彈性都可能降低。
下一階段AI 記憶體的競爭重點，也將從單純「誰有更多HBM產能」轉向產量與產能分配。HBM堆疊層數愈高，確認晶片效能、中段檢測、黏合精度與最終測試的重要性愈高。
對台灣供應鏈而言，受影響範圍將由記憶體模組擴展至探針卡、ATE、測試插座、黏合、AOI／X射線（X-ray）與先進封裝設備。AI正在重新分配的不只是記憶體產品組合，而是全球DRAM晶圓與封裝測試資源。
