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搜尋「矽晶穿孔」,共 15

三星電子正式量產商用HBM4產品,並完成業界首次出貨。三星憑藉其第六代10奈米級DRAM製程(1c),實現穩定良率,無需額外重新設計即順利完成。 三星HBM4提供穩定的11.7Gbps的處理速度,相較業界標準8Gbps提升約46%。相較於前

因應工作負載要求的日益嚴苛,為了充分發揮運算基礎架構的最大價值。美光科技(Micron)宣佈其多重存取雙列直插式記憶體模組(MRDIMM)開始送樣。MRDIMM針對記憶體需求高達每DIMM 插槽128GB以上的應用,美光 MRDIMM 的效

美光科技,宣布推出128GB DDR5 RDIMM 記憶體,採用 32Gb 單片晶粒,以高達 8,000 MT/s 的同類最佳效能支援當前和未來的資料中心工作負載。此款大容量高速記憶體模組專為滿足資料中心和雲端環境中各種關鍵應用的效能及資料

美光科技宣布推出業界首款第二代 8 層堆疊(8-High)24GB HBM3,並開始送樣。此產品頻寬達 1.2TB/s 以上,每腳位傳輸速率超過 9.2Gb/s,較目前市面上的HBM3解決方案高出 50%。此外,美光第二代HBM3的每瓦效能

FOWLP會為整個半導體產業帶來如此大的衝擊性,莫過於一次就扭轉了未來在封裝產業上的結構,在在影響了整個封裝產業的製程、設備與相關的材料。

Altera公司公開新款異質架構系統層級封裝(SiP,System-in-Package)元件,整合了來自SK海力士(SK Hynix)公司的堆疊寬頻記憶體(HBM2)以及高性能Stratix 10 FPGA和SoC。Stratix 10

奧地利微電子公司是全球領先的高效能類比IC與感測器供應商,近日將投資逾2,500萬歐元在位於奧地利格拉茨附近的晶圓製造工廠,用以建立3D IC專用的生產線。 這項投資將包括在奧地利微電子總部工廠淨化室中安裝新型3D IC生產設備。3D IC

國際研究暨顧問機構Gartner預測,2009年全球半導體資本設備支出將衰退42.6%,但整體市場現正快速成長,復甦情況顯著,預計2010年全球半導體資本設備支出將成長 45.3%。 Gartner 研究副總Dean Freeman 指出,

吳誠文認為:台灣以代工為主的產業特性,需被動仰賴終端市場需求,人才更無法專注於研發。而3D IC正是改變現況的最佳選擇,不僅可垂直整合上中下游產業,更可讓台灣廠商快速擁有與國外大廠相同的系統整合競爭能力。

奈米TSV金屬化公司Alchimer,S.A.日前宣佈已授權其eG ViaCoat產品予矽晶穿孔(TSV)應用之電解沉積系統NEXX Systems,Inc公司,作為生成TSV金屬鍍層細薄、保形的銅晶種層使用。 根據協議,Alchimer將

工研院南分院特於10月14日舉辦飛秒雷射研討會,邀請美日重量級飛秒雷射專家針對飛秒雷射超強、超快、超微的物理特性作介紹,並共同研討全球最新技術及發展趨勢,希望藉以掌握研發及市場先機,提升台灣傳統雷射設備廠商進入高階雷射應用的市場,跨入更高附

為了縮短SoC單晶片技術過於攏長的研發時程,並符合目前消費性電子輕薄短小且多功能的產品需求,市場開始尋求新一代的晶片整合技術,來因應越來越嚴峻的消費性市場挑戰,其中3D IC便是目前最受關注的技術之一。 所謂的3D IC,就是利用先進的晶圓

隨著65奈米製程的成熟,晶圓代工廠如台積電、聯電、IBM與特許等陸續獲得國際大廠的訂單,且對於45奈米及32奈米製程的佈局也不停下腳步。而因應先進製程的後段封裝技術及產能,台積電及IBM已開始投資高階封裝技術。 由於65奈米製程比起90奈米