日前，為滿足對可攜式設備中更小元件的需求，Vishay推出20V p通道TrenchFET功率MOSFET，該元件採用MICRO FOOT晶片級封裝，具有此類元件中最薄厚度及最低導通電阻。
Vishay Siliconix Si8441DB具有0.59mm的超薄厚度，以及1.5mm×1mm的占位面積。這也是在1.2V額定電壓時提供導通電阻的首款此類元件。該新元件的典型應用將包括手機、PDA、數位相機、MP3播放器及智慧型電話等可攜式設備中的負載開關及電池保護。
Si8441DB提供了1.2V VGS時0.600Ω至4.5V VGS時0.080Ω的導通電阻範圍，且具有最高±5V的柵源電壓。1.2V額定電壓時的低導通電阻降低了對電平位移電路的需求，從而節約了可攜式電子設計中的空間。
日前還推出了採用相同MICRO FOOT封裝的20V p通道Si8451DB。Si8451DB的最高額定柵源電源為8V，其導通電阻範圍介於1.5V時0.200Ω至4.5V時0.080Ω，這是迄今為止具有這些額定電壓的元件所實現的最佳值。
隨著可攜式電子設備的體積越來越小，以及它們功能的不斷增加，電源管理電路的可用板面空間會極大減少。為實現消費者對電池充電間隔間的電池運行時間的期望，設計人員需要具有低功耗的更小MOSFET封裝—這恰恰是Si8441DB及Si8451DB所具有的特點。
