在工研院即將進入歡慶40週年院慶之際，工研院電光所的研究團隊所開發出來的「垂直式自旋磁性記憶體技術」榮獲傑出研究金牌獎，此一技術乍看之下並不顯眼，但該記憶體技術的背後，卻也牽動了未來全球半導體大廠的勢力佈局。
我們都知道，記憶體的分類，大致上可分為：「揮發性」與「非揮發性」兩大類別，前者以DRAM（動態隨機存取記憶體）與SRAM（靜態隨機存取記憶體）為代表，後者則以Flash（快閃記憶體）最為常見。然而這兩種記憶體類別，天生就有截然不同的技術特性，因此也在電子產業中各自扮演重要的角色。不過，礙於製程的不斷演進，這些記憶體也開始面臨了物理極限，在微縮上變得愈加困難，所以許多國際半導體大廠也就開始著手進行新一代記憶體的開發，MRAM（Magnetic Random Access Memory；磁性記憶體）就是眾多新一代記憶體技術中的典型例子。
MRAM的技術特性兼顧了揮發性與非揮發性記憶體的優點，在定位上介於兩者之間，由於具備了非揮發性記憶體的優點，所以相對省電。許多業者也將其視為DRAM與SRAM的下一代接棒技術。
回溯MRAM的開發歷程，早在1995年摩托羅拉就已經著手進行研發，後來旗下的半導體部門轉而成立飛思卡爾後，於2004年提出量產計畫，2006年進行銷售，容量為4Mb，讀寫速度為35ns（nanosecond；奈秒）。而工研院也在2001年投入MRAM的研發，並於2002年成立研發團隊。在當時，產業界對於MRAM有著不小的呼聲。
然而，儘管身為一線國際半導體大廠的飛思卡爾將MRAM加以市場化，但是市場終究是殘酷的，礙於MRAM有許多物理特性的問題無法克服，其性能表現不如市場預期，MRAM到現在仍然是處在曲高和寡的局面。全球一線半導體大廠對於MRAM的研發投入也趨於緩和。不過，這種情況在2010年的IEDM（國際電子元件會議）上由於三星與海力士針對MRAM不約而同提出新的研發成果而開始產生變化，MRAM再度受到全球半導體大廠們的重視。緊接著，工研院也在2013年提出新的研發成果，進一步解決了MRAM的物理問題，工研院電光所所長劉軍廷便表示，此一技術突破，將為記憶體產業開闢一個全新的戰場，台灣將在這個戰場中，扮演相當關鍵而重要的角色。（未完待續）
