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Diodes微型場效電晶體節省40%空間

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Diodes公司為提供空間要求嚴格的產品設計,擴充了旗下超小型分立元件產品系列。新推出的3款小訊號MOSFET包括20V和30V額定值的N通道電晶體,以及30V額定值的P通道元件,產品全都採用DFN0606微型封裝。每個元件的電路板佔位面積僅0.6mm x 0.6mm, 比一般採用DFN1006封裝的MOSFET小40%,適用於下一代可穿戴式科技產品、平板電腦及智慧型手機。

DMN2990UFZ (20V nMOS通道)、DMN31D5UFZ(30V nMOS通道)和 DMP32D9UFZ(30V pMOS通道)能夠提供與大多數大型封裝元件相同甚至更佳的電氣性能。新產品旨在盡量降低導通電阻,並同時維持卓越的開關效能。此外,元件的典型臨界電壓低於1V,這種低開啟電壓適合單電池操作模式。

全新微型MOSFET適合進行高效率功率管理,還可作為通用介面及簡單的類比開關。這些DFN0606封裝元件的功耗達到300mW,得以提升電路功率密度。(編輯部陳復霞整理)

稀土棋局下的台灣解方:從供應鏈韌性看關鍵礦物合作新契機
特別企劃半導體

稀土棋局下的台灣解方:從供應鏈韌性看關鍵礦物合作新契機

稀土與關鍵礦物已成全球科技競爭與經濟安全的重要戰略資源。面對供應鏈高度集中與地緣風險升高,台灣如何透過國際合作、技術替代、戰略儲備與城市採礦,建立自主且具韌性的關鍵礦物供應體系?

稀土與關鍵礦物已成全球科技競爭與經濟安全的重要戰略資源。面對供應鏈高度集中與地緣風險升高,台灣如何透過國際合作、技術替代、戰略儲備與城市採礦,建立自主且具韌性的關鍵礦物供應體系?