SiC MOSFET應用技術在雪崩條件下的魯棒性評估 (2020.08.18)
本文透過模擬雪崩事件，進行非鉗位元感性負載開關測試，並使用不同的SiC MOSFET元件，依照不同的測試條件，評估技術的失效能量和魯棒性。…
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英飛凌全新TO-220 FullPAK Wide Creepage封裝 (2016.05.04)
【德國慕尼黑訊】英飛凌科技（Infineon）發表 TO-220 FullPAK Wide Creepage封裝。此全新封裝專為 600 V CoolMOS CE 提供，適用於各種低功率消費性應用。此封裝具有經過改良的沿面爬電距離，並經過研…
英飛凌推出採用SOT-223封裝的CoolMOS CE (2016.03.22)
【德國慕尼黑訊】英飛凌科技（Infineon）擴展採用SOT-223 封裝的 CoolMOS CE 產品組合。採用此封裝的英飛凌CoolMOS，可在DPAK之外提供另一項具成本效益的選擇，也能在部分設計中節省空間，並降低功耗。SOT-223…
Infineon Technologies AGhas launched a new family of CoolMOS C7 series superjunction (SJ) MOSFETs. The 600 V series offe…
英飛凌推出超接面CE，適合消費性及照明應用 (2012.05.10)
英飛凌科技(Infineon)日前推出新產品 500V CoolMOS CE，可在消費電子、個人電腦 Silverbox 和照明 SMPS（開關式電源供應器）等價格導向應用的電源供應設計中，取代標準MOSFET。英飛凌 500V CoolM…
省能電源設計及解決方案 (2006.10.03)
對於具體節能電源的設計，不論是外部電源，還是設備內部電源電路，應該以兩方面來考慮：首先，它必須擁有非常高的轉換效率；其次，是在待機模式之下，必須有低的靜態消耗功率。面對節能設計挑戰，除了使用各種新的拓墣結構與技術，來提高電源轉換效率之外，還可以從其它方面來著手。…
替代傳統共振方式 (2005.12.05)
電源供應器增加功率密度的壓力與日俱增，於是在這前提下產生了數個需求：改善半導體和被動元件的效益及創新架構，以便從全新半導體元件之功能中獲得有利的好處。本文將探討最近發展的高壓超接合面功率MOSFET以及矽晶碳化物Schottky二極體，並比較採用硬式切換或共振方式在性能、系統成本和可靠度方面的優缺點。…