磷化銦與氮化鎵在太赫茲頻段的技術挑戰 (2026.03.13)
無線通訊技術即將從5G邁向6G，頻譜資源的開發已從毫米波（mmWave）進一步延伸至太赫茲（THz）頻段。太赫茲波通常定義為0.1至10THz之間的電磁波，其位於微波與紅外線之間，不僅具備極其寬廣的可用頻寬，還擁有獨特的穿透性與空間解析度。…
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以碳化矽為開關元件的電子式迴路保護裝置 (2026.01.30)
隨著電動汽車設計朝向高壓化的發展，保護車內各項設備的需求也日益增加。因此，採用更快速、更可靠的方法來提供保護顯得尤為重要。常見的保護元件包括保險絲、繼電器和接觸器，而E-FUSE電子式保護裝置也是一個很好的配件。 相信大家都已經知道，在電動…
Littelfuse公司是一家多元化的工業技術製造公司，致力於為永續發展、互聯互通和更安全的世界提供動力。公司今日宣布推 MMIX1T500N20X4 X4級超級結功率MOSFET。這款200 V、480 A N通道MOSFET的導通電阻R…
Littelfuse新一代汽車級柵極驅動器問世 強化SiC與IGBT控制效能 (2025.11.04)
隨著電動車（EV）動力總成與高效率電源系統快速發展，能精準控制功率半導體開關的柵極驅動器（Gate Driver）成為影響系統效能與可靠度的關鍵元件。Littelfuse 推出全新 IX4352NEAU 汽車級低壓側柵極驅動器，以滿足電動車…
Littelfuse推出IX3407B隔離柵極驅動器簡化大功率設計 (2025.10.09)
Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家多元化的工業技術製造公司，致力於為永續發展、互聯互通和更安全的世界提供動力。公司今日宣布推出IX3407B單通道電氣隔離閘極驅動器。本產品專為高壓電源應用設計，可提供高速開關性能並簡化…
下一代汽車中現代計算架構的性能元件和保護 (2025.08.13)
本文探討向分區控制的過渡、分區控制對電源管理的影響，以及確保下一代汽車系統安全、可靠和高效運作的關鍵保護策略。…
IXD0579M高壓側和低壓側閘極驅動器提供緊湊型即插即用解決方案 (2025.06.03)
Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家多元化的工業技術製造公司，致力於為永續發展、互聯互通和更安全的世界提供動力。公司今日宣布推出IXD0579M高速閘極驅動器積體電路。 IXD0579M簡化了電路板設計，節省了空間，並為…
適用于高頻功率應用的 IXD2012NTR 高壓側和低壓側柵極驅動器 (2025.05.14)
Littelfuse公司今日宣部推出高壓側和低壓側柵極驅動器IXD2012NTR，設計用於驅動兩個採用半橋配置的N溝道MOSFET或IGBT。該IXD2012NTR針對高頻電源應用進行了最佳化，具有卓越的開關性能和更高的設計靈活性。 IXD…
2奈米製程競爭 台積電穩步向前或芒刺在背? (2025.03.03)
在半導體製程技術的競賽中，2奈米製程成為各大廠商爭奪的下一個重要里程碑。台積電（TSMC）正在積極研發2奈米製程，於2024年開始試產，並計畫於2025年實現量產。台積電將在2奈米節點引入GAA（環繞柵極）奈米片晶體管技術，這是從傳統的Fi…
首款新型TPSMB非對稱TVS二極體為汽車SiC MOSFET 提供卓越的柵極驅動器保護 (2024.12.31)
Littelfuse今日宣布推出TPSMB非對稱TVS二極體系列，這是首款上市的非對稱瞬態電壓抑制（TVS）二極體，專門用於保護汽車應用中的碳化矽（SiC）MOSFET閘極驅動器。 這項創新產品滿足下一代電動車(EV) 系統對可靠過壓保護日…
Bourns 推出符合 AEC-Q200 標準 車規級高隔離馳返式變壓器系列 (2024.12.24)
美商柏恩 Bourns，全新推出符合 AEC-Q200 標準車規級 HVMA03F40C-ST10S 馳返式變壓器。該系列專為在緊湊尺寸中實現高功率密度與更高效率而設計，以因應當今汽車、工業以及能源儲存設計對於功率密度的不斷增長需求。Bou…
三菱電機將交付用於xEV的SiC-MOSFET裸晶片樣品 (2024.11.12)
三菱電機株式會社（Mitsubishi Electric）宣布，將開始發貨用於驅動馬達的碳化矽 （SiC) 金屬氧化物半導體場效電晶體（MOSFET）裸晶片樣品11月14日，三菱電機推出電動車（EV）、插電式混合動力車（PHEV）和其他電動…
鍺：綠色回收與半導體科技的新未來 (2024.10.24)
鍺的環保回收值得關注，特別是從電子廢棄物中回收鍺，提高回收率並降低成本，減少資源浪費降低環境負荷。此外，鍺近來在半導體先進製程中扮演要角，無疑也是一個值得重視和推進的方向。…
Littelfuse推出首款用於SiC MOSFET柵極保護的非對稱瞬態抑制二極體系列 (2024.10.22)
工業技術製造公司Littelfuse推出SMFA非對稱系列表面貼裝瞬態抑制二極體，為市場上首款非對稱瞬態抑制解決方案，專為保護碳化矽（SiC）MOSFET柵極免受過壓事件影響而設計。由於與傳統的矽MOSFET和IGBT相比，SiC MOSF…
Toshiba推出1200 V第三代碳化矽肖特基柵極二極體新產品 (2024.09.26)
先進半導體和儲存解決方案供應Toshiba公司在第三代碳化矽（SiC）肖特基柵極二極體（SBD）產品線中增添1200 V新產品「TRSxxx120Hx系列」，適合應用於光伏逆變器、電動汽車充電站，以及用於工業設備用的開關電源供應器、不斷電供…
Littelfuse推出高頻應用的雙5安培低壓側MOSFET柵極驅動器 (2024.09.23)
Littelfuse推出IX4341和IX4342雙5安培低壓側MOSFET閘極驅動器。這些閘極驅動器專為驅動MOSFET而設計，透過增加其餘兩個邏輯輸入版本完善現有的IX434x驅動器系列。IX434x系列現在包括雙路同相、雙路反相以及同…
Nexperia新型齊納二極體產品優化可解決過衝和雜訊現象 (2024.09.16)
Nexperia對於其齊納二極體（Zener Diode）產品組合進行優化，以消除不良的過衝和雜訊行為，突破現今的齊納二極體技術。新型50 μA齊納系列二極體推出B-selection (Vz+/-2%)，Vz範圍從1.8 V到51 V，提…
跨過半導體極限高牆 奈米片推動摩爾定律發展 (2024.08.21)
奈米片技術在推動摩爾定律的進一步發展中扮演著關鍵角色。 儘管面臨圖案化與蝕刻、熱處理、材料選擇和短通道效應等挑戰， 然而，透過先進的技術和創新，這些挑戰正在逐步被克服。…
熱泵背後的技術：智慧功率模組 (2024.07.26)
熱泵是一種用於製冷和供暖的多功能、高效能技術。而高品質封裝技術的關鍵，在於能夠保持出色散熱性能的同時優化封裝尺寸，並且不降低絕緣等級。…
市場需求上升 全球半導體晶圓廠產能持續攀升 (2024.06.24)
SEMI國際半導體產業協會公布最新一季全球晶圓廠預測報告（World Fab Forecast）中指出，晶片需求不斷上升帶動全球半導體晶圓廠產能持續成長，2024 年及 2025 年預計將各增加 6% 及 7%，月產能達到創紀錄的 3,37…