四大技術爭奪EV充電樁主流標準 (2023.09.23)
各國正重點推廣電動車,車廠也紛紛公佈了應對的策略。隨著電動車的普及,意味著汽車的動力來源已從補充汽油的形式,傳換補充電力的形式,這也使得充電站的普及變得非常重要。…
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各國正重點推廣電動車,車廠也紛紛公佈了應對的策略。隨著電動車的普及,意味著汽車的動力來源已從補充汽油的形式,傳換補充電力的形式,這也使得充電站的普及變得非常重要。…
東芝電子開發業界首款用於工業設備的2200V雙碳化矽(SiC)MOSFET模組MG250YD2YMS3 。新模組的漏極電流(DC)額定值為250A,並採用該公司的第三代SiC MOSFET晶片。適用於使用DC1500V的應用,如光伏發電系統…
經濟部技術處SEMICON Taiwan科技專案成果主題館於今(14)日在「2022 SEMICON Taiwan」台北南港展覽館一館四樓N0662攤位正式登場!共展出33項創新技術!首先最吸睛的技術,是由工研院攜手多家台灣大廠,完成世界最…
瑞薩電子(Renesas Electronics)宣布開發新一代矽絕緣柵雙極電晶體(Si-IGBT),以提供低功率損耗且小型的封裝。針對新一代電動汽車(EV)逆變器的AE5 IGBT將於2023年上半年開始在瑞薩位於日本那珂市工廠的200和…
據TrendForce研究推估,第三類功率半導體產值將從2021年的9.8億美元,至2025年將成長至47.1億美元,年複合成長率達48%。 SiC適合高功率應用,如儲能、風電、太陽能、電動車、新能源車等對電池系統具高度要求的產業。其中,電…
東芝(Toshiba)推出兩款碳化矽(SiC)MOSFET雙模組:額定電壓為1200V、額定漏極電流為600A的MG600Q2YMS3;額定電壓為1700V、額定漏極電流為400A的MG400V2YMS3。此為東芝首款具有此類電壓等級的產品…
電動車市場對於延長續航里程及縮短充電時間有著極大需求,整車平臺高壓化趨勢愈演愈烈,對此各大車企已陸續推出800V高壓車型,例如Porsche Taycan、Audi Q6 e-tron、Hyundai Ioniq 5等。據TrendForc…
Microchip Technology Inc.今日宣佈擴大其碳化矽產品組合,推出一系列高效率、高可靠性的1700V碳化矽MOSFET裸片、分離元件和電源模組。 Microchip的1700V碳化矽技術是矽IGBT的替代產品。由於矽IGB…
半導體製造商ROHM開發出650V耐壓、內建SiC蕭特基二極體的IGBT(Hybrid IGBT)「RGWxx65C系列」(RGW60TS65CHR、RGW80TS65CHR、RGW00TS65CHR),且均符合汽車電子產品可靠性標準「AE…
全球工業產業消耗的能源量預期到 2040 年將成長一倍。隨著對能源成本和資源有限的意識不斷提高,未來提升驅動馬達用電效率的需求將會越來越顯著。…
儘管全球經濟受到新冠病毒(COVID-19)疫情的衝擊,各個領域皆有程度不一的影響,但當天的活動依然吸引了大批的學員參加,顯見汽車領域在疫情之下,仍是科技產業最關注的市場之一。…
針對汽車電子應用領域,羅姆半導體(ROHM)的電源管理晶片(PMIC),以及SiC寬能隙帶產品,能協助客戶縮小整體PCB的尺寸,進而降低BOM成本,而新材料的方案也提供更佳的運行效能。 羅姆半導體資深工程師林長青表示,羅姆致力於提供完整解決…
由CTIMES主辦,電電公會、台灣車聯網產業協會及台灣檢驗科技協辦,的「電動+自駕+車聯 2020汽車電子科技峰會」,於7月16日盛大舉行。國際領先的汽車電子解決方案供應商,包含羅姆半導體(ROHM)、安矽思科技(ANSYS)、克達科技、愛…
半導體製造商ROHM宣布,其SiC功率元件(SiC MOSFET)獲得中國車界Tier1供應商-聯合汽車電子有限公司(United Automot]ive Electronic Systems Co., Ltd.;UAES)採用,將應用於電…
在走過了一甲子的歲月之後,2018年羅姆迎來了他們新一任的社長-藤原忠信。他在羅姆任職了超過三十年,等同參與了羅姆一半以上的歷史,可說是羅姆的最佳代言人。…
UnitedSiC has added two new TO220-3L package options to its growing range of hard-switching UF3C FAST series of 650V SiC…
英飛凌科技1200 V CoolSiC MOSFET 產品組合進入大量生產階段。這些產品的額定值從 30 m? 至 350 m? ,並採用 TO247-3 與 TO247-4 封裝。另更延伸產品系列,即將推出的新產品包括表面黏著裝置 (SM…
Littelfuse公司推出其首款1700V碳化矽MOSFET LSIC1MO170E1000,擴充碳化矽MOSFET器件組合。LSIC1MO170E1000既是Littelfuse碳化矽MOSFET產品的重要補充,也是Littelfuse…
Littelfuse introduced its first 1700V SiC MOSFET, the LSIC1MO170E1000, expanding its portfolio of SiC MOSFET devices. An…
美高森美公司 (Microsemi Corporation) 宣佈在下季初擴大其碳化矽(SiC) MOSFET和SiC二極體產品組合,包括提供下一代1200 V、25 mOhm和80 mOhm SiC MOSFET器件的樣品,及下一代700…