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搜尋「KrF」,共 9

imec的量測專家在本文帶領讀者探索深耕40年的晶圓廠量測與檢測技術,瞭解圖形化和元件創新歷史的四大時期,提供imec前瞻量測發展藍圖,其發展動力與多項重大挑戰相關,包含尺寸微縮和3D技術的興起,還有成本和永續發展需求。

imec的量測專家將在本文帶領讀者探索深耕40年的晶圓廠量測與檢測技術,瞭解圖形化和元件創新歷史的四大時期,同時提供imec的前瞻量測發展藍圖,其發展動力與多項重大挑戰相關,包含尺寸微縮和3D技術的興起,還有成本和永續發展的需求。

在美國持續擴大晶片出口管制、荷蘭加強ASML設備出口限制的壓力下,中國大陸正將光刻機列為半導體產業「卡脖子」環節的首要突破點。2025年,中國光刻技術的進展,特別是193奈米ArF沉浸式DUV機種的開發,成為全球關注焦點。 根據產業消息,中

盛美上海推出塗膠顯影Track設備,標誌著該公司已正式進軍塗膠顯影Track市場,這也是該公司提升其在清洗、塗膠和顯影領域內專業技術的必然結果。盛美上海于2013年開發了首個封裝塗膠機和顯影機,並於2014年交付了給客戶。盛美上海將于幾周後

全球半導體微影技術領導廠商艾司摩爾(ASML)今日發佈2022年第二季財報,銷售淨額(net sales)為54億歐元,淨收入(net income)14億歐元,毛利率(gross margin)為49.1%,新增第二季訂單金額85億歐元。

隨著關鍵尺寸逐年縮小,疊對預算變得越來越緊縮。先進刻蝕機的成本成為在非關鍵層上使用最先進的掃描式曝光機的阻礙,導致在不同的層使用不同的刻蝕機;這種做法通常被稱為「混搭」。由於每台刻蝕機各有其獨一無二的特徵,因此混搭成為產生高階疊對誤差的問題根源。

微影技術在半導體製程中一直被認為是最重要的步驟,包括一直被廣泛應用在定義圖案的光學微影以及被應用在光罩製作上的電子束微影,而未來進入奈米時代之後,微影技術也面臨許多更新的挑戰,本文將藉由簡介先進微影技術之能力與限制,為讀者剖析目前主流微影術技術之應用與發展趨勢。