搜尋

會員登入

搜尋

導覽

會員
廣告
廣告
類別:
關鍵字:

搜尋「Critical Dimension」,共 66

虛擬量測技術是半導體產業從經驗驅動轉向數據驅動的里程碑。它不僅解決了實體量測的瓶頸,更為晶圓廠提供了製程透明度。

因AI人工智慧驅動半導體需求,全球晶片微影技術領導廠商艾司摩爾(ASML)今(6)日於SEMICON Taiwan 分享新一代高數值孔徑極紫外光(High NA EUV)微影技術,並表示將協助晶片製造商簡化製造工序、提高產能,並降低每片晶圓

由於包含極紫外光(EUV)和新興高數值孔徑(High-NA)的光阻越來越薄,量測半導體元件特徵的關鍵尺寸變得愈來愈具挑戰性。應用材料公司最新推出新的電子束(eBeam)量測系統,則強調專門用來精確量測由EUV和High-NA EUV微影技術

英特爾近期於美國檀香山舉行的年度VLSI國際研討會,公布Intel 4製程的技術細節。相較於Intel 7,Intel 4於相同功耗提升20%以上的效能,高效能元件庫(library cell)的密度則是2倍,同時達成兩項關鍵目標:它滿足開

近期,3GPP組織對LTE技術標準的進程與方向有更明確的規劃。在說明規劃前筆者先簡單說明過往發展:2008年的R8標準正式進入LTE,之後R9進行LTE改進;2011年的R10標準正式進入LTE Advanced(簡稱LTE-A),R11則