深耕40年的晶圓廠量測與檢測：重大里程碑和未來發展 (2026.08.20)
imec的量測專家在本文帶領讀者探索深耕40年的晶圓廠量測與檢測技術，瞭解圖形化和元件創新歷史的四大時期，提供imec前瞻量測發展藍圖，其發展動力與多項重大挑戰相關，包含尺寸微縮和3D技術的興起，還有成本和永續發展需求。…
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深耕40年的晶圓廠量測與檢測：重大里程碑和未來發展 (2026.08.11)
imec的量測專家將在本文帶領讀者探索深耕40年的晶圓廠量測與檢測技術，瞭解圖形化和元件創新歷史的四大時期，同時提供imec的前瞻量測發展藍圖，其發展動力與多項重大挑戰相關，包含尺寸微縮和3D技術的興起，還有成本和永續發展的需求。…
從中國光刻機國產化腳步 看半導體自主之路的關鍵 (2025.10.21)
在美國持續擴大晶片出口管制、荷蘭加強ASML設備出口限制的壓力下，中國大陸正將光刻機列為半導體產業「卡脖子」環節的首要突破點。2025年，中國光刻技術的進展，特別是193奈米ArF沉浸式DUV機種的開發，成為全球關注焦點。 根據產業消息，中…
科思創以「材料效應」驅動產業轉型 展現跨域永續創新實力 (2025.10.09)
在邁向循環經濟的道路上，透過AI與數位化，或因地緣政治和全球市場重新調整等，使得眾多產業正面臨轉型的關鍵時刻。在2025年德國杜塞道夫K展（K 2025）上，科思創（Covestro）以「材料效應（Material Effect）」為軸心，…
盛美上海進軍塗膠顯影Track市場 滿足IC製造商光刻制程需求 (2022.12.21)
盛美上海推出塗膠顯影Track設備，標誌著該公司已正式進軍塗膠顯影Track市場，這也是該公司提升其在清洗、塗膠和顯影領域內專業技術的必然結果。盛美上海于2013年開發了首個封裝塗膠機和顯影機，並於2014年交付了給客戶。盛美上海將于幾周後…
中芯率先突破製程瓶頸 迫美火速補貼晶片與加碼設限 (2022.08.02)
近來因為中芯率先突破7nm製程、與美國積極促成亞洲晶片大廠「四方聯盟」（Chip4）等話題，讓半導體產業及設備市場再起波瀾。根據TrendForce最新研究預估，以全球各區域12吋約當產能看來，預估到了2025年台灣占比約43%，接續為中國…
Samsung Starts Mass Production of 14nm EUV DDR5 DRAM (2021.10.12)
Samsung Electronics today announced that it has begun mass producing the industry's smallest, 14-nanometer (nm), DRAM ba…
Brewer Science 將在 2019 Semicon Taiwan分享先進封裝經驗與技術產品 (2019.09.16)
Brewer Science今天宣布，該公司將連續第 14 年參加台灣國際半導體展，這是台灣最大的年度微電子盛事，將在 2019 年 9 月 18~20 日於台北世貿中心南港展覽館舉行。除了將在 N0262 攤位展示其產品之外，Brewer…
透過自動高階補償改善疊對控制 (2008.05.05)
隨著關鍵尺寸逐年縮小，疊對預算變得越來越緊縮。先進刻蝕機的成本成為在非關鍵層上使用最先進的掃描式曝光機的阻礙，導致在不同的層使用不同的刻蝕機；這種做法通常被稱為「混搭」。由於每台刻蝕機各有其獨一無二的特徵，因此混搭成為產生高階疊對誤差的問題根源。…
<font color="#ff6600">IBM與JSR將合作研發新一代半導體製程</font> (2007.12.11)
IBM與JSR將就新一代半導體製程技術展開研究之合作計畫。據了解，美國的IBM和日本JSR兩廠商已經就半導體新一代材料及製程的研發，共同簽訂了促進研究的合約。依據合作內容，JSR將派遣數名研究人員至IBM位於美國加州的阿爾馬丁研究中心（Al…
Intel誓言：45nm之後 摩爾定律不變 (2007.05.30)
Intel誓言在45nm之後，摩爾定律將延續不變。Intel的LSI技術策略研究員暨技術策略總監Paolo A. Gargini表示，即使在45nm以後，也將延續每兩年電晶體數量倍增的晶圓製程技術。繼2007年下半年量產的45nm之後，In…
65到45：半導體製程微細化技術再突破 (2006.11.27)
當半導體微細化製程從65奈米邁向45奈米、甚至晶片結構體尺寸將朝向32或是22奈米之際，我們將會面臨什麼未知的物理性質變化？為了追尋更微小體積、切割更多晶片的商業成本效益，我們的製程技術如何再進一步地去突破，會有什麼樣的材料正等待著我們去發掘？…
松下和瑞蕯開發系統晶片製程已擴展至45奈米 (2006.08.03)
松下電器(Matsushita)和瑞蕯科技(Renesas)宣布成功整合測試45奈米的系統晶片(SoC)半導體製造技術。此項製程技術是完全整合1氬氟ArF(argon-fluoride)浸沒式掃瞄器2與光隙數值1.0或更高的技…
奈米世代微影技術之原理及應用 (2004.08.04)
微影技術在半導體製程中一直被認為是最重要的步驟，包括一直被廣泛應用在定義圖案的光學微影以及被應用在光罩製作上的電子束微影，而未來進入奈米時代之後，微影技術也面臨許多更新的挑戰，本文將藉由簡介先進微影技術之能力與限制，為讀者剖析目前主流微影術技術之應用與發展趨勢。…
射頻接收機設計技術概述 (2004.06.01)
無線通訊應用的風行，造就了該類產品在技術上的進展，而設頻收發機就是通訊連結當中相當重要的關鍵零組件，而不同的架構設計也各有其優缺點，本文將針對各試射頻接收機的架構做介紹，並進一步剖析其優缺點。…
支援使用者特性分析之新一代量測解決方案 (2003.11.05)
以往使用者要量測混合接頭裝置，必須使用多個校驗套件，但仍可能要忍受因為使用轉接器而導致的不確定性；使用者特性分析功能可以解決以上及其他許多校驗問題。本文將深入解析一具備以上特性之ECal模組量測解決方案，並以實際範例為讀者詳細解說其特色所在。…
變型照明技術--Off-Axis Illumination(OAI) (2000.02.01)
參考資料：…