突破200奈米內連間距！imec攜手EV集團展示晶圓級異質接合技術 (2026.05.31)
於本周舉行的2026年IEEE電子元件與技術會議（ECTC）上，比利時微電子研究中心（imec）攜手EV集團（EVG）共同發表一項發展穩健且產量高的晶圓級異質接合技術，成功在一款具備可佈線內連導線的測試元件上展示200奈米的銅內連墊片間距。…
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DELO推出新一代光激活黏合劑，協助LiDAR大規模量產 (2026.05.22)
高科技黏合劑領先製造商德路（DELO）推出專為LiDAR系統大規模量產開發的新一代光激活黏合劑。這項突破性技術使關鍵的反射鏡黏接和蓋板黏接應用的生產速度提高5倍，解決了快速成長的汽車和工業機器人領域的生產瓶頸。 LiDAR市場在短短三年內從…
意法半導體全新 STM32 系列 重新定義入門級微控制器效能與價值，推動各類智慧裝置升級 (2026.03.09)
服務橫跨多重電子應用領域之全球半導體領導廠商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱 ST；紐約證券交易所代碼：STM）推出新一代入門級微控制器（MCU），進一步提升遍布工廠、家庭、城市與各類基礎建設中的數十億智慧裝置效能，同…
28奈米車規平台邁入量產 聯電與SST合作打破高效能車用晶片成本門檻 (2026.01.19)
隨著全球汽車產業加速轉向智慧化與自動化，車載MCU對處理效能與資料安全的需求正迎來爆發式成長。聯華電子（UMC）與 Microchip子公司冠捷半導體（SST）共同開發的 28 奈米 SuperFlash (ESF4) 車規平台正式進入量產…
Metalenz與聯電合作 量產偏振式人臉辨識晶片 (2025.11.13)
Metalenz 與聯華電子 (UMC)合作，將Metalenz 的人臉辨識解決方案 Polar ID 推向量產階段。此技術象徵著機器視覺與人工智慧邁向新時代，也標誌著金屬透鏡技術正式走向大規模應用。 Polar ID 是一款以偏振光為基礎…
解鎖新一代3D NAND快閃記憶體的垂直間距微縮 (2025.07.15)
3D NAND快閃記憶體的產品目前配有超過300層堆疊氧化層和字元線層，以滿足位元儲存能力方面的需求。imec正在開發兩項可在不犧牲記憶體運作和可靠度的情況下實現垂直間距微縮的關鍵技術：氣隙整合與電荷捕捉層分離。…
汽車微控制器技術為下一代車輛帶來全新突破 (2024.12.26)
意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）深耕汽車市場已超過30年，為客戶提供涵蓋典型車輛中多數應用的多元產品與解決方案。隨著市場的發展，ST的產品陣容不斷精進，其中汽車微控制器（MCU）是關鍵之一。 在嵌入式非揮發性記憶…
世界先進和NXP核准成立VSMC合資公司 將興建十二吋晶圓廠 (2024.09.04)
世界先進（VIS）和恩智浦半導體（NXP）已取得相關單位的核准，依計畫進行注資，正式成立VisionPower Semiconductor Manufacturing Company（VSMC）合資公司，朝興建VSMC首座十二吋（300mm…
世界先進與NXP合資興建12吋晶圓廠 主攻類比電源晶片應用 (2024.06.05)
世界先進積體電路股份有限公司和恩智浦半導體（NXP Semiconductors）今（5）日宣布，計畫於新加坡共同成立VisionPower Semiconductor Manufacturing Company（VSMC）合資公司，以興建…
聯電推出首款RFSOI 3D IC整合方案 加速5G時代創新 (2024.05.02)
聯華電子今（2）日推出業界首項RFSOI製程技術的3D IC解決方案，此55奈米RFSOI製程平台上使用的矽堆疊技術，在不損耗射頻（RF）效能下，可將晶片尺寸縮小45%以上，客戶能夠有效率地整合更多射頻元件，以滿足5G更大的頻寬需求。 RF…
Microchip擴大與台積電夥伴關係 日本建立專用40奈米製程產能 (2024.04.09)
Microchip宣布，擴大與台積電的合作夥伴關係，在台積電位於熊本的控股製造子公司日本先進半導體製造公司，建立專用40 奈米產線。 此次合作是 Microchip 強化供應鏈韌性的持續策略的一部分。 其他措施包括投資額外技術以提高內部製造…
意法半導體突破20奈米技術屏障 提升新一代微控制器成本競爭力 (2024.03.28)
意法半導體（STMicroelectronics，ST）推出了一項18奈米完全空乏型矽絕緣層金氧半電晶體（Fully Depleted Silicon On Insulator，FD-SOI）技術並整合嵌入式相變記憶體（ePCM）的先進製程…
攜手格芯 Microchip開始量產28奈米SuperFlash嵌入式快閃記憶體 (2023.09.28)
GlobalFoundries、Microchip及其旗下子公司冠捷半導體（SST）今（28）日宣佈，採用GF 28SLPe製程的SST ESF3第三代嵌入式SuperFlash技術NVM解決方案即將投產。 隨著邊緣智慧化水準的不斷提高，嵌…
聯電40奈米RFSOI平台優化毫米波射頻前端 加速5G裝置開發 (2023.05.03)
聯華電子今（3）日宣布，40奈米RFSOI製程平台可供量產毫米波（mmWave）的射頻（RF）前端製程產品，推動5G無線網路的普及，與包括在智慧手機、固定無線接入（FWA）系統和小型基地台等方面的應用。 聯電的40奈米RFSOI製程平台針對…
從雲端連結到智慧邊緣 解密STM32的新時代策略佈局 (2023.04.10)
物聯網（IoT）應用市場在近年來已經開始深入大家生活中，意法半導體（ST）也隨著IoT需求的增加，慢慢地擴展到不同的應用和產品。無論是智慧家庭、智慧能源或者是Smart Everything，這些都是支撐IoT發展的驅動力，需要更多高效能的…
從雲端連結到智慧邊緣 揭秘STM32策略佈局 (2023.04.10)
物聯網（IoT）應用市場在近年來已經開始深入大家生活中，意法半導體（ST）也隨著IoT需求的增加，慢慢地擴展到不同的應用和產品。…
力旺和聯電合作22奈米RRAM可靠度驗證 對應AIoT與行動通訊市場 (2023.03.28)
力旺電子與聯華電子今（28）日宣布，力旺的可變電阻式記憶體（RRAM）矽智財已通過聯電22奈米超低功耗的可靠度驗證，為聯電的AIoT與行動通訊應用平台提供更多元的嵌入式記憶體解決方案。由於RRAM具有良好的抗磁能力，適合對於性能要求嚴格的汽…
英飛凌與聯電簽署40奈米eNVM MCU製造長期協議 (2023.03.07)
英飛凌與聯華電子今7日宣布，雙方就車用微控制器（MCU）簽訂長期合作協議，擴大英飛凌MCU在聯電的產能，以服務迅速擴展的車用市場。此高性能微控制器產品採用英飛凌專有的嵌入式非揮發性記憶體（eNVM）技術，於聯電新加坡Fab 12i廠以40奈…
聯電與Cadence共同開發3D-IC混合鍵合參考流程 (2023.02.01)
聯華電子與益華電腦（Cadence）於今（1）日共同宣布以Cadence Integrity 3D-IC平台為核心的3D-IC參考流程，已通過聯電晶片堆疊技術認證，助力產業加快上市時間。 聯電的混合鍵合解決方案可整合廣泛、跨製程的技術，支援…
英飛凌XMC7000系列微控制器可滿足工業級應用要求 (2022.12.02)
英飛凌科技（Infineon）推出適用於工業驅動、電動車充電、電動兩輪車、機器人等先進工業級應用的XMC7000系列微控制器。XMC7000系列微控制器包括基於主頻高達350-MHz 的32位Arm Cortex-M7處理器的單核與雙核產品…