ROHM推出頂部散熱SiC MOSFET全新封裝 可兼顧高散熱與高耐壓！ (2026.07.09)
半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）推出SiC MOSFET的TSC3PAK（14.00×18.58×3.50mm）封裝。新產品為可自動安裝的表面安裝型產品，透過將散熱面置於封裝頂部的結構，實現了與插裝型封裝（TO-247-4L）同等…
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GE Aerospace第四代SiC MOSFET瞄準AI資料中心與高功率工業應用 (2025.11.13)
面對高速成長的人工智能資料中心、電動車、航空航太與高功率工業應用帶來的能源挑戰，GE Aerospace公司近日展示第四代碳化矽（SiC）MOSFET功率元件，成為推動新一波能源效率提升的重要技術里程碑。本次展示於紐約州的GE研究中心完成，…
Microchip全新 DualPack 3 IGBT7電源模組提供高功率密度 (2025.09.29)
隨著市場對小型化、高效率及高可靠度電源解決方案的需求日益增加，具備高功率密度並能簡化系統設計的電源管理元件正快速成長。Microchip Technology全新一代 DualPack 3（DP3）電源模組系列，採用先進 IGBT7 技術，…
ROHM推出二合一SiC模組「DOT-247」 實現更高設計靈活性和功率密度 (2025.09.25)
半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）推出二合一結構的SiC模組「DOT-247」，該產品非常適合PV Inverter、UPS和半導體繼電器等工業設備應用。新模組保留了「TO-247」在功率元件中的通用性，同時實現更高的設計靈活性和功…
Nexperia新款1200 V SiC 蕭特基二極體適用於高功率密集基礎設施 (2025.07.11)
Nexperia宣布推出兩款1200V、20A碳化矽（SiC）蕭特基二極體—PSC20120J與PSC20120L，專為高功率密集型基礎設施設計，目標應用涵蓋AI伺服器叢集、電信設備與太陽能逆變器等對能效要求極高的電源系統。 新產品採用具備…
意法半導體推出車用閘極驅動器 強化電動車動力系統的效能與擴充彈性 (2025.06.14)
服務橫跨多重電子應用領域之全球半導體領導廠商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）意法半導體（STMicroelectronics）推出 STGAP4S 車用絕緣閘極驅動器，適用於 SiC …
ROHM推出高功率密度新型SiC模組 助力車載充電器OBC實現小型化 (2025.04.28)
半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）推出4in1及6in1結構的SiC塑封型模組「HSDIP20」。該系列產品非常適用於xEV（電動車）車載充電器（以下簡稱 OBC）的PFC*1和LLC*2轉換器等應用。HSDIP20的產品陣容包括7…
工研院與台達開發SiC模組 搶攻高功率電子市場 (2025.02.08)
基於現今電動車為了符合低碳永續趨勢及續航力，兼顧在高壓、高溫下穩定運行，使得具備高功率密度的寬能隙化合物半導體（Wide-bandgap Semiconductor；WBG），成為該領域深受關注的元件材料。工研院也在近期海外參展時，發表最新…
工研院SiC技術亮相日本 助攻電動車產業升級 (2025.01.22)
工研院於日本國際電子製造關連展發表車用碳化矽（SiC）解決方案，吸引逾8萬人次參觀，並與車廠及零件商洽談合作。 工研院展示了與台達電共同開發的SiC功率模組，可提升電動車動力效能、延長續航里程並加速充電。此模組已通過可靠度測試，有助於臺灣S…
貿澤電子、安森美和Wurth Elektronik合作為下一代太陽能和儲能系統提供解決方案 (2024.12.09)
2024年12月9日 – 全球最新電子元件和工業自動化產品的授權代理商貿澤電子 (Mouser Electronics) 與安森美和Wurth Elektronik合作，一同滿足太陽能逆變器市場持續成長的需求。 全球逆變器市場的成長動力來源…
ROHM新款SiC蕭特基二極體支援xEV系統高電壓需求 (2024.11.14)
半導體製造商ROHM開發出引腳間沿面距離更長、絕緣電阻更高的表面安裝型SiC蕭特基二極體（SBD）。目前產品陣容中已經有適用於車載充電器（OBC）等車載應用的「SCS2xxxNHR」8款機型。另計畫於2024 年12月再發售8款適用於FA設…
Microchip IGBT 7功率元件組合優化永續、電動出行和資料中心應用設計 (2024.11.13)
因應電力電子系統設計，功率元件不斷發展。Microchip推出採用不同封裝、支援多種拓撲結構及電流和電壓範圍的IGBT 7元件組合，具有更高的功率容量、更低的功率損耗和緊湊的元件尺寸，旨在滿足永續、電動汽車和資料中心等高增長細分市場的需求。…
ROHM第4代1200V IGBT實現頂級低損耗和高短路耐受能力 (2024.11.12)
近年來，汽車和工業設備朝高電壓化方向發展，市場開始要求安裝在車載電動壓縮機、HV加熱器和工業設備逆變器等應用中的功率元件支援高電壓。半導體製造商ROHM針對車載電動壓縮機、HV加熱器、工業設備用逆變器等，開發出符合汽車電子產品可靠性標準AE…
意法半導體為電動車牽引變頻器打造新一代碳化矽功率技術 (2024.10.08)
全球半導體領導廠商意法半導體（STMicroelectronics；ST）正式推出第四代STPOWER碳化矽（SiC）MOSFET技術。這項新技術不僅滿足車用及工業市場的需求，還針對電動車（EV）動力系統中的關鍵元件—牽引變頻器進行專門優化…
用於快速評估三相馬達驅動設計的靈活平台 (2024.09.29)
為了實現環境目標並減少排放，世界各國政府紛紛推出立法，要求提高電動馬達的效率。…
熱泵背後的技術：智慧功率模組 (2024.07.26)
熱泵是一種用於製冷和供暖的多功能、高效能技術。而高品質封裝技術的關鍵，在於能夠保持出色散熱性能的同時優化封裝尺寸，並且不降低絕緣等級。…
貿澤全新綜合資源中心聯結工程師與EV/HEV技術未來 (2024.07.18)
推動創新產品導入（NPI）代理商貿澤電子（Mouser Electronics）透過廣泛的EV/HEV資源中心探索電動和混合動力車技術的最新發展、進步與挑戰。隨著雙向充電和車輛自動駕駛等先進技術進入市場，掌握最新潮流比以往任何時候都更加重要…
意法半導體於義大利打造世界首座一站式碳化矽產業園區 (2024.06.24)
意法半導體（STMicroelectronics，ST），將於義大利卡塔尼亞打造一座結合8吋碳化矽（SiC）功率元件和模組製造、封裝、測試於一體的綜合性大型製造基地。透過整合同一地點現有之碳化矽基板製造廠，意法半導體將打造一個碳化矽產業園區…
安森美第7代IGBT模組協助再生能源簡化設計並降低成本 (2024.06.12)
安森美(onsemi) 最新發佈第 7 代 1200V QDual3 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 功率模組，與其他同類產品相比，該模組的功率密度更高，且提供高10%的輸出功率。這800 安培 (A) QDual3 模組基於新的場截止第 …
智慧充電樁百花齊放 (2024.04.29)
電動車產業在經歷疫情與全球競逐淨零碳排目標下已逐漸成熟，包含充電樁等客製化、模組化終端產品甚至由下而上，驅動製造業加速轉型升級。…