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搜尋「電子遷移」,共 101

向太赫茲波段挺進將會是一場關於微縮化、材料科學與系統整合的全面戰爭。

無線通訊技術即將從5G邁向6G,頻譜資源的開發已從毫米波(mmWave)進一步延伸至太赫茲(THz)頻段。太赫茲波通常定義為0.1至10THz之間的電磁波,其位於微波與紅外線之間,不僅具備極其寬廣的可用頻寬,還擁有獨特的穿透性與空間解析度。

應用材料公司推出全新的沉積、蝕刻及材料改質系統,能在2奈米及更先進節點提升尖端邏輯晶片效能。這些技術透過對最基本的電子元件——電晶體進行原子尺度改良,從而大幅提升AI的運算能力。 採用環繞式閘極電晶體是半導體產業的重要轉折,也是實現更高能源

根據英飛凌科技近期發布的《2026年GaN技術展望》,氮化鎵(GaN)正快速從新興材料轉變為主流功率半導體技術,推動電力電子產業進入高效率、高功率密度與小型化的新階段。產業分析顯示,全球GaN功率半導體市場預計在2030年達到約30億美元,

看好氮化鎵技術在功率電子應用的發展潛力,比利時微電子研究中心(imec)近日攜手愛思強(AIXTRON)、格羅方德(GlobalFoundries)、美商科磊(KLA)、新思科技(Synopsys)與威科儀器(Veeco)等,成為其12吋氮

近日,澳洲聯邦科學與工業研究組織(CSIRO)領導的國際團隊發表創新成果,首次成功將量子機器學習(Quantum Machine Learning, QML)技術應用於半導體製造過程,重點聚焦在氮化鎵(GaN)高電子遷移率電晶體(HEMT)

隨著運算需求不斷地提高,新興能源也同步崛起,傳統矽基半導體材料逐漸逼近其物理極限,而寬能隙半導體材料以其優越的性能,漸漸走入主流的電子系統設計之中。

控制器可提高電源效率並降低待機功耗 Nexperia推出一系列新AC/DC反激式控制器,擴展電源IC產品組合。NEX806/8xx和NEX8180x專為基於GaN的反激式轉換器而設計,用於PD(Power Delivery)快速充電器、適配

文:本次要介紹的產品,是來自德州儀器(TI)一款業界首創的650V三相智慧功率模組(Intelligent Power Module;IPM)-「DRV7308」,適用於250W馬達驅動器應用。

本文敘述思考下一代SiC元件將如何發展,從而實現更高的效能和更小的尺寸,並討論建立穩健的供應鏈對轉用SiC技術的公司的重要性。

第三代半導體已經在電力能源、電動車、工業市場等領域獲得具體應用。 其高功率密度和高頻率特性,成為現代能源轉換和電動化趨勢的關鍵。 然而開發過程仍然需解決材料、製程、封裝、可靠性測試等挑戰。

身為台積電的長期合作夥伴,西門子數位化工業軟體日前在台積電2023 年北美技術研討會上公布一系列最新認證,展現雙方協力合作的關鍵成果,將進一步實現西門子EDA技術針對台積電最新製程的全面支援。 其中,西門子EDA領先的IC sign-off

下一代半導體產品越來越依賴垂直整合技術來推動系統密度、速度和產出改善。由於多個物理學之間的耦合效應,對於強大的晶片-封裝-系統設計而言,聯合模擬和聯合分析至關重要。

本周IEEE國際電子會議(IEDM)上,比利時微電子研究中心(imec)利用一套蒙地卡羅(Monte Carlo)模型架構,首次展示如何透過微觀尺度的熱載子分佈來進行先進射頻元件的3D熱傳模擬,用於5G與6G無線傳輸應用。案例分析結果顯示,

因應日益複雜的RFIC設計要求,新思科技(Synopsys)宣佈針對台積公司N6RF製程推出最新的RF設計流程,此乃新思科技與安矽斯科技(Ansys)和是德科技(Keysight)共同開發的最先進RF CMOS技術,可大幅提升效能與功耗效率