ROHM發表第4代低導通電阻SiC MOSFET (2020.06.17)

半導體製造商ROHM推出「1200V 第4代SiC MOSFET」，適合用於動力逆變器等車電動力總成系統和工控裝置電源。 對於功率半導體來說，當導通電阻降低時短路耐受時間就會縮短，兩者之間存在著權衡關係，因此在降低SiC MOSFET的導通…

溝槽構造SiC-MOSFET可大幅降低導通電阻 (2015.08.14)

ROHM近日研發出採用溝槽結構的SiC-MOSFET，並已建立完備的量產體制。與量產中的平面型SiC-MOSFET相比，同一晶片尺寸的導通電阻可降低50%，這將大幅降低太陽能發電用功率調節器和工業設備用電源、工業用變流器等所有相關設備的功率…

IR推出新的控制和同步開關晶片組 (2004.05.12)

國際整流器(IR)推出新的控制和同步開關晶片組，專攻用來驅動新一代Intel和AMD處理器的高頻DC-DC轉換器，適用於高階先進伺服器和桌上型電腦。該晶片組也可運用於電訊和數據通訊系統的負載點DC-DC轉換。這款晶片組若用於開關頻率達每相7…