瑞薩電子開發28奈米嵌入式快閃記憶體技術 (2015.05.15)

瑞薩電子（Renesas）宣布已開發全新快閃記憶體技術，可達到更快的讀取與覆寫速度。這項新的技術是針對採用28奈米（nm）嵌入式快閃記憶體（eFlash）製程技術的晶片內建快閃記憶體微控制器（MCU）所設計。 為因應近來的環境議題，世界各國…