英特爾於2026 VLS發表18A-P製程與GaN+Si數位電源技術 (2026.06.19)
英特爾（Intel）在夏威夷舉辦的「2026年VLSI技術與電路研討會上，首度公開其最新「Intel 18A-P」製程的關鍵進展，並在現場成功展示了全球首創的 300mm晶圓級氮化鎵與矽邏輯晶片（GaN+Si）單片整合技術。 這項技術利用異…
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imec達成High-NA EUV單次圖形化里程碑 (2025.10.07)
於2025年國際光電工程學會（SPIE）光罩技術暨極紫外光微影會議（美國加州蒙特雷市）上，比利時微電子研究中心（imec）發表了兩項有關單次壓印極紫外光（EUV）微影的突破性進展：（1）間距為20奈米的導線圖形，包含與鑲嵌金屬化製程相關的1…
半鑲嵌金屬化：後段製程的轉折點？ (2025.01.03)
五年多前，比利時微電子研究中心（imec）提出了半鑲嵌（semi-damascene）這個全新的模組方法，以應對先進技術節點銅雙鑲嵌製程所面臨的RC延遲增加問題。…
Intel Foundry使用減材釕 提升電晶體容量達25% (2024.12.24)
英特爾晶圓代工（Intel Foundry）在2024年IEEE國際電子元件會議（IEDM）上公佈了新的突破。包括展示了有助於改善晶片內互連的新材料，透過使用減材釕（subtractive Ruthenium）提升電晶體容量達25%。此外，…
半導體業界持續革命性創新 有助於實現兆級電晶體時代微縮需求 (2024.12.09)
隨著人工智慧（AI）應用迅速崛起，從生成式AI到自動駕駛和邊緣運算，對半導體晶片的需求也隨之激增。這些應用要求更高效能、更低功耗以及更高的設計靈活性。尤其在2030年實現單晶片容納1兆個電晶體的目標下，半導體產業面臨著重大挑戰：電晶體和晶片…
應材發表新晶片佈線技術 實現更節能AI運算 (2024.07.09)
基於現今人工智慧（AI）時代需要更節能的運算，尤其是在晶片佈線和堆疊方式對於效能和能耗至關重要。應用材料公司今（9）日於美國SEMICON WEST 2024展會，發表兩項新材料工程創新技術，旨在將銅互聯電網佈線微縮到2奈米及以下的邏輯節點…
晶背供電技術的DTCO設計方案 (2023.08.11)
比利時微電子研究中心（imec）於本文攜手矽智財公司Arm，介紹一種展示特定晶背供電網路設計的設計技術協同優化（DTCO）方案，其中採用了奈米矽穿孔及埋入式電源軌來進行晶背佈線。…
imec最新成果：合金薄膜電阻首度超越銅和釕 (2023.05.23)
於本周舉行的2023年IEEE國際內連技術會議（IITC）上，比利時微電子研究中心（imec）展示其實驗成果，首次證實導體薄膜的電阻在12吋矽晶圓上可超越目前業界使用的金屬導線材料銅（Cu）和釕（Ru）。例如，厚度為7.7奈米的鎳鋁二元合金…
探索埃米世代導線材料 金屬化合物會擊敗銅嗎？ (2023.01.19)
大約5年前，imec研究團隊開始探索二元與三元化合物作為未來金屬導線材料的可能性，藉此取代金屬銅。他們設計一套獨特方法，為評估各種潛在的替代材料提供指引。…
imec推出雙層半鑲嵌整合方案 4軌VHV繞線設計加速邏輯元件微縮 (2022.12.09)
本周IEEE國際電子會議（IEDM）上，比利時微電子研究中心（imec）發表了最新的半鑲嵌整合方案，透過導入VHV繞線技術（vertical-horizontal-vertical）來實現4軌（4T）標準單元設計，加速元件微縮。該半鑲嵌製程…
俄烏戰爭正重塑關鍵礦物供應鏈版圖 (2022.09.21)
近來俄烏戰爭更是引發供應鏈、通膨等問題，俄羅斯遭受制裁聯手中國結盟，隱形靠山始料未及，以美國為主的西方國家要小心中國藉俄烏之戰趁機坐大。…
非銅金屬半鑲嵌製程 實現窄間距雙層結構互連 (2022.08.05)
imec展示全球首次實驗示範採用18nm導線間距的雙金屬層半鑲嵌模組，強調窄間距自對準通孔的重要性，同時分析並公開該模組的關鍵性能參數，包含通孔與導線的電阻與可靠度。…
田中貴金屬確立液體釕前驅物2段成膜製程 助10nm以下微縮 (2022.06.24)
田中貴金屬工業株式會社宣布，確立液體釕（Ru）前驅物「TRuST」的2段成膜製程。「TRuST」是前驅物，對氧和氫兩者具備良好的反應性，能夠形成高純度的釕膜。本製程是一種2段ALD成膜製程（ALD＝Atomic Layer Depositi…
斷鏈疑慮浮升 俄烏戰火引爆產業供應瓶頸 (2022.05.24)
俄羅斯入侵烏克蘭，美歐國家傾向祭出各類制裁，包括阻斷許多大宗商品自俄出口，造成供應中斷的危機出現。斷鏈危機引發商品成本上揚的壓力，恐引爆後續一連串漲價效應。…
延續後段製程微縮 先進導線採用石墨烯與金屬的異質結構 (2021.08.05)
由石墨烯和金屬構成的異質結構有望成為1奈米以下後段製程技術的發展關鍵，本文介紹其中兩種異質整合方法，分別是具備石墨烯覆蓋層的金屬導線，以及摻雜石墨烯和金屬交替層的堆疊元件。…
晶片產能大塞車 半導體供應鏈能否有新局？ (2021.03.15)
新冠肺炎(COVID-19)疫情，徹徹底底的扭曲了全球供需與製造的曲線，現在不僅人們的日常生活要適應「新常態」，可能連同生產製造也要有新的常態主要有兩種，而半導體則是目前供需失衡最嚴峻的一項。…
邁向1nm世代的前、中、後段製程技術進展 (2020.12.08)
為了實現1nm技術節點與延續摩爾定律，本文介紹前、中、後段製程的新興技術與材料開發，並提供更多在未來發展上的創新可能。…
邏輯元件製程技術藍圖概覽（上） (2020.11.10)
愛美科CMOS元件技術研究計畫主持人Naoto Horguchi、奈米導線研究計畫主持人Zsolt Tokei彙整各自的領域專長，將於本文一同呈現先進製程技術的發展藍圖。…
5G衍生伺服器廢棄汙染 綠色回收將是永續關鍵 (2019.11.28)
你完全可以想像5G實現後的世界，飛快的資料傳輸，無縫的串流視訊，以及連接所有裝置與設備的物聯網路，人們的生活達到實無前例的便利。但這所有美好的背後，並不是沒有代價，更多的伺服器佈設就是其中之一。 根據台灣市場研究機構集邦科技（TrendFo…
環保鈀回收技術：對抗鈀價飆漲的最佳方案 (2019.03.21)
鈀（Pd），是當前貴金屬市場上最耀眼的明星，其身價飛漲之快，在2018年底已超越黃金，目前每盎司的報價達到1500美元以上，足足高過黃金一百多美元，成為貴中之貴的金屬。 鈀價不僅成長速度快，增加的幅度也令人措手不及，光今年（以2019年2月…