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搜尋「蝕刻技術」,共 79

向太赫茲波段挺進將會是一場關於微縮化、材料科學與系統整合的全面戰爭。

於今年IEEE國際電子會議(IEDM),imec展示運用極紫外光(EUV)微影技術首次成功完成的固態奈米孔晶圓級製造。固態奈米孔作為分子感測應用的有力工具,正在逐漸興起,但還未進行商業化。這項概念驗證是邁向其經濟高效(大規模)生產的關鍵一步

迎接現今生成式AI驅動半導體產業變局,台灣該如何在護國神山的基礎上,強化次世代功率半導體和面板級先進封裝的供應鏈韌性與生態系尤為關鍵。

經濟部產業技術司於2025 Touch Taiwan籌組創新技術館,攜手友達、群創、達運、聯策、誠霸、永光等多家企業,展出「面板級封裝」、「車載顯示與智慧應用」、「先進顯示材料」、「低碳顯示與綠色製造」等4大領域,共27項研發成果。 其中因

隨著運算需求不斷地提高,新興能源也同步崛起,傳統矽基半導體材料逐漸逼近其物理極限,而寬能隙半導體材料以其優越的性能,漸漸走入主流的電子系統設計之中。

五年多前,比利時微電子研究中心(imec)提出了半鑲嵌(semi-damascene)這個全新的模組方法,以應對先進技術節點銅雙鑲嵌製程所面臨的RC延遲增加問題。

隨著生成式人工智慧(Generative AI, GenAI)與邊緣運算的快速發展,全球對高效能、高容量儲存技術的需求急速攀升。雖然GPU與DRAM常被視為推動AI發展的核心,3D NAND技術憑藉其優異的儲存密度、可靠性與能源效率,成為支

比利時微電子研究中心(imec)運算技術及系統/運算系統微縮研究計畫的資深副總裁(SVP)Steven Scheer探討imec與艾司摩爾(ASML)合建的High-NA EUV微影實驗室對半導體業的重要性。

奈米片技術在推動摩爾定律的進一步發展中扮演著關鍵角色。 儘管面臨圖案化與蝕刻、熱處理、材料選擇和短通道效應等挑戰, 然而,透過先進的技術和創新,這些挑戰正在逐步被克服。

比利時微電子研究中心(imec),在荷蘭費爾德霍溫與艾司摩爾(ASML)合作建立的高數值孔徑極紫外光(high-NA EUV)微影實驗室中,利用數值孔徑0.55的極紫外光曝光機,發表了曝光後的圖形化元件結構。在單次曝光後,9奈米和5奈米(間

隨著生成式人工智慧(AI)普及推升更大容量和更高效能記憶體的需求,Lam Research科林研發推出第三代低溫介電層蝕刻技術Lam Cryo 3.0,已經過生產驗證,擴大在3D NAND快閃記憶體蝕刻領域的地位。Lam Cryo 3.0

比利時微電子研究中心(imec)與艾司摩爾(ASML)共同宣布,雙方於荷蘭費爾德霍溫合作開設的高數值孔徑極紫外光(high-NA EUV)微影實驗室正式啟用,為尖端的邏輯、記憶體晶片商以及先進的材料、設備商提供第一部高數值孔徑(high-N

隨著台灣晶圓代工大廠持續向外擴充版圖,並將製程推進至2nm以下,正加速驅動晶片製造廠商進入埃米時代,也越來越受惠於新材料工程和量測技術。美商應用材料公司則透過開發出越來越多採用Sculpta圖案成形應用技術,與創新的CVD圖案化薄膜、蝕刻系

最終的光電融合是3D共封裝光學,即三維整合。可以毫不誇張地說,基於矽光子的光電子融合,將會是未來計算機系統和資訊網路的關鍵技術。

此篇訪談中,比利時微電子研究中心(imec)先進圖形化製程與材料研究計畫的高級研發SVP Steven Scheer以近期及長期發展的觀點,聚焦圖形化技術所面臨的研發挑戰與創新。

面對當代的重大挑戰時,人工智慧應用越來越廣泛,未來的運算需求預計會每半年翻漲一倍。為了在處理暴增的巨量資料的同時維持永續性,需要經過改良的高性能半導體技術。