隨著生成式人工智慧（Generative AI, GenAI）與邊緣運算的快速發展，全球對高效能、高容量儲存技術的需求急速攀升。雖然GPU與DRAM常被視為推動AI發展的核心，3D NAND技術憑藉其優異的儲存密度、可靠性與能源效率，成為支撐AI應用的關鍵基石，默默扮演著「隱形推手」的角色。
在AI技術的蓬勃發展下，生成式AI模型的運算量與數據規模急遽擴增，儲存裝置必須能有效處理龐大的數據存取與運算需求。3D NAND憑藉其高容量與高速存取特性，有效加速數據處理，提升AI推論與即時運算效能，為智慧型手機、自駕車、企業伺服器等市場提供不可或缺的支援。
根據Counterpoint Research的最新報告，全球3D NAND市場規模將從2023年的400億美元，成長至2030年的930億美元。這一驚人的增長反映出3D NAND在生成式AI、邊緣運算及高效能儲存應用中的關鍵角色。
隨著AI時代的來臨，儲存技術面臨更高層數與密度的挑戰。為滿足未來AI裝置的需求，業界正積極推動3D NAND技術的革新。Lam Research引領3D NAND製程技術的突破，透過低溫蝕刻技術（Cryogenic Etching），有效解決1000層3D NAND製造的技術難題。
邊緣運算為AI技術的落地應用提供了即時性與效率的保障，然而，邊緣AI所需的儲存裝置必須同時達成高密度、高速存取、低成本與可靠性的平衡。
Counterpoint Research共同創辦人Neil Shah表示：「隨著AI應用日趨複雜，3D NAND在邊緣AI領域的重要性將持續攀升。製造商必須不斷追求技術創新，特別是應對1000層NAND技術的挑戰，以滿足日益增長的數據需求。」
在追求技術創新的同時，永續發展亦成為半導體產業的重要目標。Lam Research最新的Cryo 3.0化學配方，不僅顯著降低了製程的能源消耗，還有效減少溫室氣體排放，為半導體製程樹立了新標竿。
