東芝推出最新一代650V SiC SBD可提高工業設備效率 (2023.07.13)
東芝（Toshiba）推出TRSxxx65H系列碳化矽（SiC）蕭特基二極體（SBD），這是該公司第三代也是最新一代SiC SBD晶片，用於工業設備開關電源、電動汽車充電站、光伏逆變器為應用領域。首批12款產品（全部為650V）已開始批量發…
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Littelfuse新增1700 V碳化矽蕭特基阻障二極體提供更快和低損耗開關 (2021.08.17)
Littelfuse公司今（17）日宣佈擴充其碳化矽（SiC）二極體產品組合，新增1700 V級產品適用於資料中心、建築物自動化和其他高功率電子應用。LSIC2SD170Bxx系列碳化矽蕭特基二極體採用TO-247-2L封裝，可選擇額定電流…
Microchip推出最新車用700和1200V碳化矽蕭特基二極體 (2020.10.29)
汽車電氣化浪潮正席捲全球，電動汽車搭載的馬達、車載充電器和DC/DC轉換器等高壓汽車系統都需要碳化矽（SiC）等創新電源技術。Microchip今日宣佈推出最新通過認證的700和1200V碳化矽（SiC）蕭特基二極體（SBD）功率元件，為電…
Littelfuse GEN2 650V碳化矽蕭特基二極體可提高熱管理 (2019.02.27)
Littelfuse推出兩個第二代650V、符合AEC-Q101標準的碳化矽（SiC）蕭特基二極體系列。LSIC2SD065CxxA和LSIC2SD065AxxA系列碳化矽蕭特基二極體提供各種額定電流選擇（6A、8A、10A、16A或20A…
Littelfuse SiC蕭特基二極體降低能源成本和空間要求 (2018.06.30)
Littelfuse新推出五款GEN2系列1200 V 3L TO-247蕭特基二極體和三款GEN2系列1200 V 2L TO-263蕭特基二極體，擴充其碳化矽電源半導體產品組合。 相比矽二極體，GEN2碳化矽蕭特基二極體可顯著降低開關損…
高突波電流耐受量SiC蕭特基二極體能大幅度改善運轉時效 (2016.06.28)
SiC元件的材料物性好，已經逐漸為上述應用裝置所採用。尤其是伺服器等須提升電源效率的裝置，電源上使用SiC-SBD產品，就能充分發揮該產品的高速回復特性，運用在PFC電路後，可望進一步提升裝置的效率。…
ROHM新推出導通電阻僅34mΩ (2012.03.08)
羅姆電子(ROHM株式會社)於日前宣布全新推出創新低導通電阻之高耐壓型功率MOSFET，「R5050DNZ0C9」(500V/50A/typ,34mΩ max45mΩ)，適合太陽能發電系統的功率調節器使用。 隨著節能議題愈來愈受到關注，其中…
ROHM運用矽深掘蝕刻技術推出全新超接面MOSFET (2011.11.29)
ROHM於日前宣佈，推出全新低導通電阻之高耐壓型功率MOSFET－R5050DNZ0C9，適合太陽能發電系統的功率調節器使用。隨著節能議題愈來愈受到關注，其中，太陽能發電可謂是最具代表性的可回收能源，因此使得該市場在近年來不斷地成長擴張。 …
Infineon推出第二代碳化矽蕭特基二極體 (2010.05.17)
英飛凌（Infineon）日前宣布推出採用TO-220 FullPAK封裝的第二代碳化矽（SiC）蕭特基二極體。全新的TO220 FullPak系列產品結合第二代ThinQ!碳化矽蕭特基二極體的高效能電氣標準以及完全絕緣的封裝優勢，無需使用…