車規碳化矽功率模組—基板和磊晶 (2023.06.27)
本文敘述安森美在碳化矽領域從晶體到系統的全垂直整合供應鏈，並聚焦到其中的核心功率器件碳化矽功率模組，以及對兩個碳化矽關鍵的供應鏈基板和磊晶epi進行分析。…
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東芝新款650V分立式絕緣閘雙極型電晶體適用於大型電源 (2023.03.10)
東芝（Toshiba）推出一種用於空調和工業設備大型電源的功率因數校正（PFC）電路的650V分立式絕緣閘雙極型電晶體（IGBT）—GT30J65MRB。產品於今（10）日開始量產出貨。 在高功率的工業設備和家用電器領域，由於變頻器在空調中…
擴大SiC功率元件產能 ROHM Apollo環保新廠房完工 (2021.01.13)
面對全球的能源短缺問題，節能將是開發未來電子元件的重要考量，尤其在電動汽車與工業4.0領域，SiC SBD與SiC MOSFET等SiC功率元件，很有可能成為電動車和工業裝置的關鍵元件。ROHM集團自2010年開始量產SiC功率元件，且一直…
ROHM推出第五代Pch MOSFET 導通電阻大幅減半 (2020.12.28)
半導體製造日商ROHM研發出共計24款Pch MOSFET產品，包括支援24V輸入電壓的耐壓－40V和－60V單極型「RQxxxxxAT / RDxxxxxAT / RSxxxxxAT / RFxxxxxAT系列」和雙極型「UTxxx5 /…
ROHM發表第4代低導通電阻SiC MOSFET (2020.06.17)
半導體製造商ROHM推出「1200V 第4代SiC MOSFET」，適合用於動力逆變器等車電動力總成系統和工控裝置電源。 對於功率半導體來說，當導通電阻降低時短路耐受時間就會縮短，兩者之間存在著權衡關係，因此在降低SiC MOSFET的導通…
3D FeFET角逐記憶體市場 (2019.11.25)
愛美科技術總監Jan Van Houdt解釋FeFET運作機制，以及預測這項令人振奮的「新選手」會怎樣融入下一代記憶體的發展藍圖。…
ROHM於福岡增建新廠房 擴大SiC功率元件產能 (2018.04.19)
半導體製造商ROHM決定在ROHM Apollo Co., Ltd.（日本福岡縣）的筑後工廠增建新廠房，以因應日漸升高的SiC功率元件生產需求。 該新廠房為地上3層建築，總建築面積約11,000平方米。目前正在進行相關細部設計，預計於201…
東芝全新MOSFET系列產品實現低導通電阻與高速表現 (2016.12.23)
東芝半導體(Toshiba)推出全新U-MOS九代低電壓N通道功率MOSFET 40V與45V系列產品，其具備低導通電阻和高速之優良表現，U-MOS9系列MOSFET產品陣容提供更多樣化產品選擇，以滿足製造商各式需求。回應市場期待與需求，系…
溝槽構造SiC-MOSFET可大幅降低導通電阻 (2015.08.14)
ROHM近日研發出採用溝槽結構的SiC-MOSFET，並已建立完備的量產體制。與量產中的平面型SiC-MOSFET相比，同一晶片尺寸的導通電阻可降低50%，這將大幅降低太陽能發電用功率調節器和工業設備用電源、工業用變流器等所有相關設備的功率…
立體式堆積電容技術介紹與應用 (2000.03.01)
參考資料：…