解鎖新一代3D NAND快閃記憶體的垂直間距微縮 (2025.07.15)
3D NAND快閃記憶體的產品目前配有超過300層堆疊氧化層和字元線層，以滿足位元儲存能力方面的需求。imec正在開發兩項可在不犧牲記憶體運作和可靠度的情況下實現垂直間距微縮的關鍵技術：氣隙整合與電荷捕捉層分離。…
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安森美擴充工業電機驅動產品陣容 推出轉移模製功率整合模組 (2020.04.28)
推動高能效創新的安森美半導體（ON Semiconductor），繼續擴充用於工業電機驅動應用的產品陣容，以進一步幫助客戶解決他們的具體設計挑戰。 電機驅動系統正隨著工業自動化及機器人急速增長。這些系統要求在惡劣工業環境中達到高能效、精准的…
Diodes新款溝槽型超級勢壘整流器提供高效率 (2016.01.26)
Diodes公司新推出的兩款40A整流器SBRTF40U100CT及 SBRTF40U100CTFP採用專利的溝槽型超級勢壘整流 (Trench SBR) 技術，能夠大幅降低功耗以及操作溫度。新產品可作為輸出整流器，適用於智慧型手機、平板電…
Diodes溝槽型超級勢壘整流器提高新一代充電器效率 (2014.12.12)
Diodes公司全新推出兩款採用旗下專利溝槽型超級勢壘整流（Trench SBR）技術的元件SBRT15U50SP5及SBRT20U50SLP，能夠實現下一代電池充電器對效率和溫度的嚴格需求。 兩款全新溝槽型超級勢壘整流器具有極低的正向電壓…
意法節能功率晶片系列可提升能效、安全性和可靠性 (2014.04.15)
意法半導體的新HB系列絕緣閘極雙極性電晶體（IGBT，Insulated-Gate Bipolar Transistors）擁有比競爭對手的高頻產品低40%的關機能源（turn-off energy），同時可降低達30%導通損耗。 HB系列…
IR推出堅固可靠1400V 超高速IGBT (2014.03.11)
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出堅固可靠的超高速1400V溝槽型絕緣閘雙極電晶體 (IGBT) IRG7PK35UD1PbF，新元件為電磁爐及微波爐等軟開關產品作出了優化。 IRG7PK35…
IR為家電馬達驅動器擴充IGBT陣營 (2012.10.24)
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出IRGR4045DPbF及IRGS4045DPbF，藉以擴充絕緣閘雙極電晶體 (IGBT) 陣營。全新600V溝槽型超高速IGBT能夠為洗衣機和冰箱等家電與輕…
安森美半導體推出突破性電源產品 (2012.03.07)
應用於高能效電子產品的首要高性能矽方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN) 持續開發創新技術及產品，使公司能夠為市場提供豐富的電源半導體方案。 公司推出的下列新產品的提供待機能耗： NCP1…
安森美推出溝槽型低正向壓降肖特基整流器 (2012.01.03)
安森美半導體（ON Semiconductor）近日推出新系列的100伏特溝槽型低正向壓降肖特基整流器（LVFR），用於筆記型電腦適配器或平板顯示器的開關電源、反向電池保護電路及高頻直流-直流（DC-DC）轉換器等應用。 新的NTST301…
英飛凌推出OptiMOS穩壓MOSFET及DrMOS系列產品 (2010.03.08)
英飛凌科技近日於美國加州舉辦的「2010 應用電力電子研討會暨展覽會」上，宣佈推出新款OptiMOS功率MOSFET系列產品。英飛凌所推出的OptiMOS 25V系列裝置經過最佳化，適合應用於電腦伺服器電源之穩壓及電信/數據通訊之開關。新推…