Power Integrations發表2200V GaN技術 拓展高壓電力系統應用 (2026.08.07)
Power Integrations（PI）宣布推出 2200 V PowiGaN 氮化鎵技術。該技術提升了商用 GaN 元件的電壓等級，使 GaN 技術可應用於過往主要由碳化矽（SiC）主導的高壓領域，提供相關系統在功率密度、效率與架構設…
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富采攜手ALLOS量產8吋矽基氮化鎵 加速Micro LED商用化 (2026.01.19)
富采與德國ALLOS Semiconductors今日宣布締結策略合作，雙方將攜手推動8吋矽基氮化鎵LED(GaN-on-Si LED)磊晶片量產，旨在加速Micro LED於AR等高整合顯示器應用的發展。富采憑藉全球領先的LED磊晶製造技…
英飛凌氮化鎵技術賦能Enphase Energy新一代IQ9光伏微型逆變器 (2025.11.21)
英飛凌科技股份有限公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼： IFNNY）近日宣佈將為美國Enphase Energy 公司（ENPH）的新一代光伏微型逆變器提供其突破性的氮化鎵（GaN）技術。Enphase Energy是一家全球領先…
Power Integrations (NASDAQ：POWI)，這家節能型功率轉換領域的高壓積體電路領導廠商，今日展示了其 PowiGaN 氮化鎵技術對於新一代 AI 資料中心的優點。Power Integrations 在聖荷西舉辦的 …
Power Integrations加入輝達AI資料中心生態系 1250V GaN技術受青睞 (2025.10.14)
Power Integrations（PI）今日宣布與NVIDIA合作，將其創新的1250V PowiGaN氮化鎵技術導入NVIDIA的800V DC AI資料中心生態系，預計將為下一代AI基礎設施的電源設計帶來更多助益。 在今日的技術發表…
Imec攜伴研究12吋氮化鎵 降成本開發先進功率元件 (2025.10.08)
看好氮化鎵技術在功率電子應用的發展潛力，比利時微電子研究中心（imec）近日攜手愛思強（AIXTRON）、格羅方德（GlobalFoundries）、美商科磊（KLA）、新思科技（Synopsys）與威科儀器（Veeco）等，成為其12吋氮…
Intel Foundry使用減材釕 提升電晶體容量達25% (2024.12.24)
英特爾晶圓代工（Intel Foundry）在2024年IEEE國際電子元件會議（IEDM）上公佈了新的突破。包括展示了有助於改善晶片內互連的新材料，透過使用減材釕（subtractive Ruthenium）提升電晶體容量達25%。此外，…
ROHM與台積公司在車載氮化鎵功率元件領域建立戰略合作夥伴關係 (2024.12.10)
半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）宣佈與Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited （以下簡稱 台積公司）在車載氮化鎵功率元件的開發和量產事宜建立戰略合作夥伴關係。 透過該合…
貿澤、ADI和Bourns出版全新電子書 探索電力電子裝置GaN優勢 (2024.12.03)
貿澤電子（Mouser Electronics）與ADI和Bourns合作出版最新的電子書，探索氮化鎵（GaN）技術在追求效率、效能和永續性的過程中所面對的挑戰和優勢所在。 《10 Experts Discuss Gallium Nitri…
數位電源驅動雙軸轉型 綠色革命蓄勢待發 (2024.10.01)
CTIMES日前舉辦了「數位電源驅動雙軸轉型：電子系統開發的綠色革命」為主題的東西講座研討會，此次會議深入探討了數位電源技術在推動電子系統開發的雙軸轉型中的關鍵作用，即實現更高的能源效率和更快的產品創新。…
英飛凌榮獲群光電能頒發「氮化鎵策略合作夥伴獎」 (2024.04.15)
群光電能（Chicony Power；簡稱群電）宣布其年度合作夥伴英飛凌科技（Infineon）脫穎而出，榮獲2023年度「氮化鎵策略合作夥伴獎」。英飛凌憑藉其運用於筆電、電競、伺服器與儲存設備等資通訊（ICT）應用的氮化鎵（GaN）電源供…
英飛凌與安克成立創新應用中心 合作開發PD快充與節能方案 (2024.01.26)
隨著行動裝置、筆記型電腦和電池供電設備的不斷增加，消費者對提高充電功率和充電速度的需求與日俱增。英飛凌科技（infineon）近日宣佈與安克創新（Anker Innovations）在深圳聯合成立創新應用中心。該創新應用中心全面營運之後，將…
Transphorm全新參考設計應用於兩輪和三輪電動車電池充電器 (2023.12.21)
全球氮化鎵（GaN）功率半導體供應商Transphorm推出兩款針對電動車充電應用的全新參考設計。300W和600W恒流/恒壓（CC/CV）電池充電器採用Transphorm的70毫歐和150毫歐SuperGaN元件，以成本實現高效的AC-…
Transphorm新款TOLT封裝形式的SuperGaN FET提供更靈活的熱管理 (2023.11.29)
Transphorm繼近期推出三款新型TOLL FET後，推出一款TOLT封裝形式的SuperGaN FET，新品TP65H070G4RS電晶體的導通電阻為72毫歐，為採用JEDEC標準（MO-332）TOLT封裝的頂部散熱型表面貼裝氮化鎵…
英飛凌完成收購GaN Systems 成為氮化鎵龍頭企業 (2023.10.25)
英飛凌科技宣佈完成收購 GaN Systems 公司。這家總部位於加拿大渥太華的公司，為英飛凌帶來了豐富的氮化鎵 (GaN) 功率轉換解決方案產品組合和領先的應用技術。已獲得所有必要的監管部門審批，交易結束後，GaN Systems 已正式…
宜普：氮化鎵將取代650伏特以下MOFEST市場 規模約數十億美元 (2023.09.04)
隨著氮化鎵 （GaN）技術在各產業中扮演起重要的角色，中國政府已積極透過資助計畫、研發補助以及激勵政策等方式來支持氮化鎵技術在中國的發展。此外，中國近年來出現了許多專注於研發氮化鎵的公司，並且包括復旦大學、南京大學、浙江大學及中國科學院等大…
英飛凌攜手群光電能提升氮化鎵PD3.1筆電電源供應器效能 (2023.08.17)
英飛凌科技（Infineon）透過運用氮化鎵（GaN）半導體賦予電源轉換器更高的效能、更精簡的體積以及更低的能耗。群光電能（Chicony Power）與英飛凌強化合作，提高其最新PD3.1筆記型電腦電源供應器系列的效能。 採用2021年推…
氮化鎵在採用圖騰柱 PFC 的電源設計中達到高效率 (2023.08.04)
世界各地的政府法規要求在交流/直流電源中使用 PFC 級，藉以促進從電網獲得潔淨電力。PFC 對交流輸入電流進行調整以遵循與交流輸入電壓相同的形狀...…
Transphorm發佈首款1200伏GaN-on-Sapphire器件的模擬模型 (2023.06.19)
全球高可靠性、高性能氮化鎵（GaN）電源轉換產品供應商Transphorm推出新款1200伏功率管模擬模型及初始規格書。TP120H070WS功率管是迄今業界可見推出的唯一一款1200伏GaN-on-Sapphire功率半導體。 新款器件展…
電氣化趨勢不可逆 寬能隙技術助電動車市場躍升 (2023.04.17)
汽車動力系統正從內燃機轉向電動機，這是一個不可阻擋的趨勢。 寬能隙半導體材料在功率利用和開關頻率方面具有獨特的優勢。 只有寬能隙半導體能夠實現電動車的目標，協助汽車向永續出行的發展。…