英特爾於2026 VLS發表18A-P製程與GaN+Si數位電源技術 (2026.06.19)
英特爾（Intel）在夏威夷舉辦的「2026年VLSI技術與電路研討會上，首度公開其最新「Intel 18A-P」製程的關鍵進展，並在現場成功展示了全球首創的 300mm晶圓級氮化鎵與矽邏輯晶片（GaN+Si）單片整合技術。 這項技術利用異…
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AI如何成為交通系統的操作核心 (2026.06.09)
交通系統向城市操作系統（City OS）的轉型，實質上是人類社會走向「智慧社會」的縮影，許多廠商的努力，讓一個安全、高效、且具備高度韌性的移動生態已然具備雛形。…
群光電能採用英飛凌CoolGaN G5電晶體， 為一線筆電品牌打造高功率適配器 (2026.03.13)
全球電源系統和物聯網領域半導體領導者英飛凌科技股份有限公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）宣佈，全球領先的筆電適配器製造商群光電能已採用英飛凌CoolGaN G5電晶體，為其核心客戶提供多款筆電適配器。該設計方案展示了…
工研院組隊亮相NEPCON JAPAN 展現研製AI、車用半導體實力 (2026.01.22)
迎合AI基礎建設與電動車創造龐大能源需求，工研院近期參與日本國際電子製造關連展（NEPCON JAPAN），便以「車用碳化矽技術解決方案」、「直流電網技術解決方案」及「氮化鎵元件整合封裝解決方案」3大主題，展示逾14項前瞻技術成果，並攜手台…
Imec攜伴研究12吋氮化鎵 降成本開發先進功率元件 (2025.10.08)
看好氮化鎵技術在功率電子應用的發展潛力，比利時微電子研究中心（imec）近日攜手愛思強（AIXTRON）、格羅方德（GlobalFoundries）、美商科磊（KLA）、新思科技（Synopsys）與威科儀器（Veeco）等，成為其12吋氮…
鑽石揭示未來電子運算新契機 義大利團隊捕捉「虛電荷載子」現象 (2025.09.30)
義大利米蘭理工大學研究團隊近期透過飛秒與阿秒級的超快光脈衝實驗，首次在鑽石內部觀測到一種短暫存在但具有深遠影響的現象——「虛電荷載子」。這些瞬時生成的電子與空穴雖然存續時間極短，卻能在超高速尺度上改變鑽石的光學特性與電子反應，為未來跨入「拍…
意法半導體 250W MasterGaN 參考設計加速高效與小型化工業電源供應器設計 (2025.03.19)
為加速設計具卓越效率與高功率密度的氮化鎵（GaN）電源供應器（PSUs），服務橫跨多重電子應用領域之全球半導體領導廠商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）推出了搭載 MasterGaN1L…
高功率元件的創新封裝與熱管理技術 (2025.02.10)
隨著高密度封裝和熱管理技術的進步，我們將看到更高效、更可靠的高功率元件應用於各不同產業，推動技術的持續演進。在這個挑戰與機遇並存的時代，持續的研發投入與技術創新將成為決勝關鍵。…
ROHM與台積公司在車載氮化鎵功率元件領域建立戰略合作夥伴關係 (2024.12.10)
半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）宣佈與Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited （以下簡稱 台積公司）在車載氮化鎵功率元件的開發和量產事宜建立戰略合作夥伴關係。 透過該合…
英飛凌推出新一代氮化鎵功率分立元件 (2024.11.26)
最新一代CoolGaN電晶體實現了現有平台的快速重新設計。新元件改進了性能指標，確保為重點應用帶來具有競爭力的切換性能。與主要同類產品和英飛凌之前的產品系列相比，CoolGaN 650 V G5電晶體輸出電容中儲存的能量（Eoss）降低了多…
英飛凌首創12吋氮化鎵功率半導體製程技術 推動市場快速增長 (2024.09.11)
英飛凌科技（Infineon）宣佈成功開發出全球首創12吋氮化鎵（GaN）功率半導體晶圓技術。英飛凌是全球首家在現有且可擴展的大規模生產環境中掌握此一技術的企業，這項突破將大幅推動GaN功率半導體市場的發展。相較於8吋晶圓，12吋晶圓因晶圓…
意法半導體推出靈活同步整流控制器 提升矽基或氮化鎵功率轉換器效能 (2024.05.14)
意法半導體（STMicroelectronics，ST）新款SRK1004同步整流控制器降低採用矽基或GaN電晶體之功率轉換器的設計難度並提升轉換效能，目標應用包括工業電源、攜帶式裝置充電器和AC／DC轉接器。 SRK1004的感測輸入能夠…
筑波科技x美商泰瑞達分享交流化合物半導體材料與測試技術 (2024.04.18)
因應高效能運算和AI趨勢對於創新材料的需求，筑波科技攜手美商泰瑞達Teradyne於17日舉辦首場「化合物半導體材料與測試技術研討會」，此次研討會聚焦於各種測試挑戰與解決方案，邀請產官學界菁英分享如氧化鎵、石墨烯等新興材料應用，探究化合物半…
英飛凌攜手Worksport 以氮化鎵降低可攜式發電站重量和成本 (2024.03.13)
英飛凌科技宣佈與 Worksport合作，共同利用氮化鎵（GaN）降低可攜式發電站的重量和成本。Worksport 將在其可攜式發電站轉換器中使用英飛凌的 GaN 功率半導體 GS-065-060-5-B-A 提高效能和功率密度。在採用英飛…
經濟部補助A+企業創新研發淬鍊 聚焦數位減碳及AI應用 (2024.02.15)
因應現今數位減碳及人工智慧（AI）應用需求不斷增加，依經濟部日前召開2024年度A+企業創新研發淬鍊計畫第1次決審會議，共通過4項計畫。 其中由世界先進擬發展全球首例化合物半導體氮化鎵磊晶，係利用8吋QST基板（GaN-on-QST）熱匹配…
Transphorm：normally-off d-mode氮化鎵性能更高、高功率應用更容易 (2023.10.19)
氮化鎵功率半導體產品的先鋒企業Transphorm今（19）日發佈《Normally-off D-Mode 氮化鎵電晶體的根本優勢》最新白皮書。該技術白皮書科普了共源共柵 （常閉） d-mode氮化鎵平台固有的優勢。而該文章還解釋了e-mo…
Transphorm氮化鎵元件助力DAH Solar微型逆變器光伏系統 (2023.10.12)
世界首個整合型光伏（PV）系統採用Transphorm氮化鎵平台，DAH Solar是安徽大恆新能源技術公司子公司。該整合型光伏系統已應用在大恆能源的最新SolarUnit 產品。DAH Solar認為系統中所使用的Transphorm的G…
宜普：氮化鎵將取代650伏特以下MOFEST市場 規模約數十億美元 (2023.09.04)
隨著氮化鎵 （GaN）技術在各產業中扮演起重要的角色，中國政府已積極透過資助計畫、研發補助以及激勵政策等方式來支持氮化鎵技術在中國的發展。此外，中國近年來出現了許多專注於研發氮化鎵的公司，並且包括復旦大學、南京大學、浙江大學及中國科學院等大…
Transphorm發佈首款1200伏GaN-on-Sapphire器件的模擬模型 (2023.06.19)
全球高可靠性、高性能氮化鎵（GaN）電源轉換產品供應商Transphorm推出新款1200伏功率管模擬模型及初始規格書。TP120H070WS功率管是迄今業界可見推出的唯一一款1200伏GaN-on-Sapphire功率半導體。 新款器件展…
深耕智能快充技術 富采旗下威力赫電子打入日系車廠 (2023.04.13)
威力赫電子為富采控股旗下專注於快充技術與產品之公司，其 PD(Power Delivery)快充產品傳出導入日系知名汽車品牌中，並將在Touch Taiwan展會中展出。 威力赫電子的PD系列採用關係企業漢威光電650V氮化鎵功率半導體，提…