深耕40年的晶圓廠量測與檢測：重大里程碑和未來發展 (2026.08.20)
imec的量測專家在本文帶領讀者探索深耕40年的晶圓廠量測與檢測技術，瞭解圖形化和元件創新歷史的四大時期，提供imec前瞻量測發展藍圖，其發展動力與多項重大挑戰相關，包含尺寸微縮和3D技術的興起，還有成本和永續發展需求。…
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深耕40年的晶圓廠量測與檢測：重大里程碑和未來發展 (2026.08.11)
imec的量測專家將在本文帶領讀者探索深耕40年的晶圓廠量測與檢測技術，瞭解圖形化和元件創新歷史的四大時期，同時提供imec的前瞻量測發展藍圖，其發展動力與多項重大挑戰相關，包含尺寸微縮和3D技術的興起，還有成本和永續發展的需求。…
突破二維半導體檢測關鍵 臺灣發表臨場剖面掃描顯微檢測技術 (2026.07.19)
臺灣大學物理學系邱雅萍教授團隊，16日在國科會舉行記者會，發展其首創「臨場剖面掃描顯微半導體檢測技術」。該技術與師範大學物理學系藍彥文教授、林文欽教授，及新加坡國立大學李連忠教授合作，在先進二維半導體電晶體運作狀態下，以原子級空間解析度直接…
ADI完成收購Empower Semiconductor 加速佈局AI算力 (2026.07.09)
ADI成功完成對電源管理晶片創新廠商Empower Semiconductor的收購。此一策略性舉措不僅進一步鞏固了ADI作為AI生態系統中，涵蓋「整個系統級電網至核心晶片」全鏈路電源配置的關鍵合作夥伴地位，更大幅拓展了ADI在AI算力供電…
台灣整合記憶體架構 (2026.07.09)
隨著AI軟硬體不斷演進，記憶體的重要性如今已幾乎與算力並列，成為最重要的戰略資產。…
imec推出NanoIC製程設計套件 加速研發邏輯和記憶體微縮技術 (2026.02.03)
迎合現今AI熱潮對於先進邏輯和記憶體需求，由比利時微電子研究中心（imec）協調整合的歐洲研究計畫奈米晶片（NanoIC）試驗製程，持續致力於加速2奈米以後的晶片技術創新。近日更宣布推出兩套全新製程設計套件（PDK），包含用於先進邏輯微縮技…
新思科技與台積電合作帶動下一波AI與多晶粒創新 (2025.11.18)
新思科技（Synopsys）擴大與台積電（TSMC）在先進製程、封裝與設計賦能（design enablement）上的合作，藉由完整的 EDA 工具、AI 驅動設計平台以及廣泛的基礎與介面 IP，協助全球半導體客戶加速 AI 與多晶粒晶片…
由設計實現的可永續性：降低下一代晶片的環境成本 (2025.10.02)
本文透過在開發週期的早期階段整合環境考量、改善獲取製程級潛在影響數據的途徑，以及探索取代高影響力材料和傳統製程步驟的替代方案，以探討永續性可能變成設計參數而非限制的方法。…
台灣供應鏈突圍與全球先進封裝競局 (2025.09.08)
本文聚焦台灣供應鏈如何化解卡點，並延伸至HBM4／HBM4e技術節點與美日韓擴產後的全球競局。…
李長榮發表先進濕製程配方 滿足AI半導體與顯示器永續需求 (2025.09.08)
順應全球半導體製程正邁入微縮與先進封裝並行的新階段，對材料效能、安全性與永續性的要求持續攀升，高純度、客戶專用且可擴展的材料的需求空前高漲，使得濕製程配方的重要性日益凸顯。李長榮化工今（8）日發表「LCY Advanced Formulat…
印度加速打造半導體生態系的機會與挑戰 (2025.08.14)
印度正加速打造半導體生態系。近期聯邦內閣再度核准 4 項半導體專案，將全國獲批案總數推升至 10 項，累計投資約達 1.6 兆盧比（約 182 億美元），據稱分布於奧里薩、安得拉邦與旁遮普等地，政策訊號明確：以財務補貼與基礎設施配套，吸引國…
AI助攻 逆向微影技術突破半導體物理極限 (2025.07.24)
人工智慧（AI）正成為推動先進晶片製造的關鍵力量。一篇最新的技術評論指出，「逆向微影技術」（Inverse Lithography Technology, ILT）在AI的加持下，正迅速崛起為克服半導體物理極限的核心解決方案。此技術透過顛覆…
SEMI：2024年半導體設備銷售增10% 上看1,171 億美元創新高 (2025.04.17)
展望美國總統川普即將宣布半導體關稅措施，如何評估2025年半導體設備業興衰的基期更為重要！依SEMI國際半導體產業協會最新公布2024年全球半導體製造設備銷售總額，已由2023年的1,063億美元成長10%，來到1,171億美元新高，包含中…
ASML與imec簽署策略夥伴協議 支援歐洲半導體研究與永續創新 (2025.03.16)
艾司摩爾（ASML）與比利時微電子研究中心（imec）宣布，雙方已經簽署一項新的策略夥伴協議，聚焦研究與永續發展。 該協議年限五年，目標是透過集結ASML和imec各自的知識和專業，在兩大領域提供有價值的解決方案。首先，開發推進半導體產業的…
應用材料新一代電子束系統技術加速晶片缺陷檢測 (2025.02.25)
電子束成像一直是重要的檢測工具，可看到光學技術無法看到的微小缺陷。應用材料公司推出新的缺陷複檢系統，幫助半導體製造商持續突破晶片微縮的極限。應材的SEMVision H20系統將電子束（eBeam）技術結合先進的AI影像辨識，能夠提供更精準…
半鑲嵌金屬化：後段製程的轉折點？ (2025.01.03)
五年多前，比利時微電子研究中心（imec）提出了半鑲嵌（semi-damascene）這個全新的模組方法，以應對先進技術節點銅雙鑲嵌製程所面臨的RC延遲增加問題。…
CEA-Leti首次展示22奈米FD-SOI節點 重新定位鐵電記憶體 (2024.12.11)
CEA-Leti工程師在IEDM論壇中首次展示了基於鉿鋯鐵電材料的可擴展電容平台，並將其整合到22奈米FD-SOI技術節點的後端製程(BEOL)中。這項突破性的成果代表了鐵電記憶體技術的重大進展，顯著提升了嵌入式應用程式的可擴展性，並將鐵電…
雙列CFET結構全新標準單元結構 推動7埃米製程 (2024.12.09)
在本週舉行的 2024年IEEE國際電子會議（IEDM） 上，比利時微電子研究中心（imec）展示了一項突破性的技術創新：基於互補式場效電晶體（CFET）的雙列標準單元架構。這種設計採用了兩列CFET元件，並共用一層訊號佈線牆，成功實現製程…
進入High-NA EUV微影時代 (2024.09.19)
比利時微電子研究中心（imec）運算技術及系統／運算系統微縮研究計畫的資深副總裁（SVP）Steven Scheer探討imec與艾司摩爾（ASML）合建的High-NA EUV微影實驗室對半導體業的重要性。…
imec展示單片式CFET功能元件 成功垂直堆疊金屬接點 (2024.06.21)
於本周舉行的2024年IEEE國際超大型積體電路技術研討會（VLSI Symposium）上，比利時微電子研究中心（imec）首次展示了具備電性功能的CMOS互補式場效電晶體（CFET）元件，該元件包含採用垂直堆疊技術形成的底層與頂層源極／…