Power Integrations發表2200V GaN技術 拓展高壓電力系統應用 (2026.08.07)
Power Integrations（PI）宣布推出 2200 V PowiGaN 氮化鎵技術。該技術提升了商用 GaN 元件的電壓等級，使 GaN 技術可應用於過往主要由碳化矽（SiC）主導的高壓領域，提供相關系統在功率密度、效率與架構設…
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Littelfuse推出IX3407B隔離柵極驅動器簡化大功率設計 (2025.10.09)
Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS）是一家多元化的工業技術製造公司，致力於為永續發展、互聯互通和更安全的世界提供動力。公司今日宣布推出IX3407B單通道電氣隔離閘極驅動器。本產品專為高壓電源應用設計，可提供高速開關性能並簡化…
AI重塑PCB價值鏈：材料、設計與市場的三重進化 (2025.10.07)
過去，PCB的角色主要在於承載與連接電子元件，但在AI時代，PCB不僅要能傳輸超高速訊號，還必須處理高功率密度、散熱挑戰與多層堆疊設計的壓力。這使得PCB產業迎來一場全面性的技術革命與材料演進。…
Littelfuse額定電流2kA突波的保護閘流管系列採用DO-214AB封裝 (2025.08.23)
因應下一代電源和能源設計的需求，Littelfuse公司推出 Pxxx0S3H SIDACtor保護晶閘管系列。此系列為業界首款採用DO-214AB（SMC）封裝的2kA突波保護元件。此緊湊型解決方案可在防止嚴重瞬態事件時，同時實現產品小型…
從工業、車用到太陽能 新一代防護元件需應對嚴苛電源環境 (2025.08.18)
在能源轉型與電子設備快速發展的時代，如何確保電力系統與關鍵設備能承受突如其來的電壓突波，成為產業無法忽視的挑戰。隨著電動車、太陽能、儲能系統與智慧工廠等應用持續擴張，工程師必須在設備小型化的同時，滿足日益嚴苛的安全與可靠性需求。這也使得新一…
Nexperia新款1200 V SiC 蕭特基二極體適用於高功率密集基礎設施 (2025.07.11)
Nexperia宣布推出兩款1200V、20A碳化矽（SiC）蕭特基二極體—PSC20120J與PSC20120L，專為高功率密集型基礎設施設計，目標應用涵蓋AI伺服器叢集、電信設備與太陽能逆變器等對能效要求極高的電源系統。 新產品採用具備…
首款採用 DO-214AB 緊湊型封裝的 2kA 保護晶閘管 (2025.05.06)
Littelfuse公司是一家多元化的工業技術製造公司，致力於為永續發展、互聯互通和更安全的世界提供動力。本公司今日宣部推出Pxxx0S3G-A SIDACtor保護閘流管系列，該產品是業界首款採用DO-214AB（SMC）小型封裝的2 k…
首款採用 DO-214AB 緊湊型封裝的 2kA 保護晶閘管 (2025.05.06)
Littelfuse公司今日前推出Pxxx0S3G-A SIDACtor保護閘流管系列，該產品是業界首款採用DO-214AB（SMC）小型封裝的2 kA閘流管。 Pxxx0S3G-A系列旨在保護惡劣環境中的設備免受嚴重過壓瞬變的影響，使工程…
電動車、5G、新能源：寬能隙元件大顯身手 (2025.02.10)
隨著運算需求不斷地提高，新興能源也同步崛起，傳統矽基半導體材料逐漸逼近其物理極限，而寬能隙半導體材料以其優越的性能，漸漸走入主流的電子系統設計之中。…
意法半導體先進的STGAP3S電隔離閘極驅動器 為IGBT和SiC MOSFET提供靈活的保護功能 (2024.12.30)
服務橫跨多重電子應用領域之全球半導體領導廠商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）新 STGAP3S 系列碳化矽（SiC） 和 IGBT 功率開關閘極驅動器整合了最新之穩定的電隔離技術、優化…
Arduino新品：UNO SPE擴充板，隨插即用UNO R4實現超高數據傳輸、即時連結 (2024.12.24)
Arduino UNO SPE 擴充板！這是一款強大的工具，可為新舊專案帶來更先進的連結能力，支援單對乙太網路（SPE）和RS485。electronica是全球領先的電子展覽與會議，這次的新產品讓電子專案更進一步！…
貿澤電子、安森美和Wurth Elektronik合作為下一代太陽能和儲能系統提供解決方案 (2024.12.09)
2024年12月9日 – 全球最新電子元件和工業自動化產品的授權代理商貿澤電子 (Mouser Electronics) 與安森美和Wurth Elektronik合作，一同滿足太陽能逆變器市場持續成長的需求。 全球逆變器市場的成長動力來源…
Microchip IGBT 7功率元件組合優化永續、電動出行和資料中心應用設計 (2024.11.13)
因應電力電子系統設計，功率元件不斷發展。Microchip推出採用不同封裝、支援多種拓撲結構及電流和電壓範圍的IGBT 7元件組合，具有更高的功率容量、更低的功率損耗和緊湊的元件尺寸，旨在滿足永續、電動汽車和資料中心等高增長細分市場的需求。…
SiC MOSFET：意法半導體克服產業挑戰的顛覆性技術 (2024.11.11)
意法半導體中國及APeC車用SiC產品部門經理Gaetano Pignataro分享了他對碳化矽（SiC）市場的觀點、行業面臨的挑戰以及ST應對不斷增長需求的策略。…
Vishay IGBT和MOSFET驅動器拉伸封裝可實現緊湊設計、快速開關 (2024.10.24)
Vishay Intertechnology推出兩款採用緊湊、高隔離延伸型SO-6封裝的新型IGBT和MOSFET驅動器。 Vishay Semiconductors VOFD341A和VOFD343A分別提供3 A和4 A的高峰值輸出電流…
貿澤電子即日起供貨TE Connectivity BESS堆疊式混合連接器 (2024.10.21)
貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起供貨TE Connectivity的BESS堆疊式混合連接器。這些連接器採用混合設計，可實現安全、可靠且彈性的連接，是非常適合電池儲能系統 (BESS) 應用的重負載連接器 (HDC…
意法半導體為電動車牽引變頻器打造新一代碳化矽功率技術 (2024.10.08)
全球半導體領導廠商意法半導體（STMicroelectronics；ST）正式推出第四代STPOWER碳化矽（SiC）MOSFET技術。這項新技術不僅滿足車用及工業市場的需求，還針對電動車（EV）動力系統中的關鍵元件—牽引變頻器進行專門優化…
台達展出智慧電網未來藍圖 搶先佈局All-in-One儲能系統 (2024.10.07)
為因應智慧電網趨勢，台達日前於台灣智慧能源週也基於「環保 節能 愛地球」的經營使命及長期耕耘的電力電子核心技術，以「賦能永續 引領未來」為題，展示其整合旗下能源產品，廣泛應用於不同場域的能源解決方案。 其中包含DELTerra系列儲能系統新…
伊頓電氣首度參展Energy Taiwan 亮相創新儲能與電力管理方案 (2024.10.04)
順應2050淨零碳排願景，各國政府持續推出能源政策，企業面臨的減碳要求日益嚴苛。伊頓電氣（Eaton）因長期深耕台灣市場．且在今年10月4~6日首度參加Energy Taiwan台灣國際智慧能源周，展出一系列先進解決方案，以協助台灣企業因應…
英飛凌首創12吋氮化鎵功率半導體製程技術 推動市場快速增長 (2024.09.11)
英飛凌科技（Infineon）宣佈成功開發出全球首創12吋氮化鎵（GaN）功率半導體晶圓技術。英飛凌是全球首家在現有且可擴展的大規模生產環境中掌握此一技術的企業，這項突破將大幅推動GaN功率半導體市場的發展。相較於8吋晶圓，12吋晶圓因晶圓…