意法半導體：AI時代需從「系統端與全生命週期」重構能源效率 (2026.09.10)
資料中心在運算規模與功率密度上急速飆升，能源消耗與散熱瓶頸已成為不可忽視的工程挑戰。在 SEMICON Taiwan 2026 期間，意法半導體（STMicroelectronics）亞太區永續專案負責人 Edoardo Auteri 直言…
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迎55週年 台達首展具身智能雙臂與整線數位雙生 (2026.08.19)
2026 台北國際自動化工業大展於南港展覽館盛大登場。適逢成立 55 週年的台達電子，今年以「前行共好：AI 創變智造未來」為主軸，全面展示 AI 驅動的具身智能機器人、整線級數位雙生及工業能源解決方案，展現協助製造業由自動化邁向自主化的技…
安森美：AI算力競賽進入電力架構時代 設計與驗證成本不可忽視 (2026.07.31)
生成式AI與高效能運算快速發展，正將資料中心的競爭焦點，從單純追求運算效能，推向更根本的電力問題。當單一機架需要承載更高功率，系統業者面臨的不只是供電量增加，還包括轉換損耗、散熱、空間、可靠度與建置成本同步上升。AI資料中心的下一場競賽，將…
ROHM推出頂部散熱SiC MOSFET全新封裝 可兼顧高散熱與高耐壓！ (2026.07.09)
半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）推出SiC MOSFET的TSC3PAK（14.00×18.58×3.50mm）封裝。新產品為可自動安裝的表面安裝型產品，透過將散熱面置於封裝頂部的結構，實現了與插裝型封裝（TO-247-4L）同等…
ROHM SiC MOSFET應用於HVDC化加速發展的AI伺服器電源BBU (2026.06.09)
半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）的750V耐壓SiC MOSFET已被應用於AI伺服器電源BBU（備用電池單元）中。隨著生成式AI的普及，AI伺服器電源正加速朝向更高壓及HVDC（高壓直流供電）架構演進，在此背景下，ROHM的Si…
台達首度亮相預製型模組化AI資料中心 縮短60%建置時間 (2026.06.03)
聚焦AI高速發展下，為滿足高能效、高功率、高密度的迫切需求，台達近日於COMPUTEX 2026，以「Superior Efficiency, Shaping Sustainable AI」為主題，首度亮相預製型模組化AI資料中心，因應企業…
ROHM開發出第5代SiC MOSFET，高溫下導通電阻可降低約30%！ (2026.05.19)
半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）開發出全新一代EcoSiC—「第5世代SiC MOSFET」，非常適用於xEV（電動車）牽引逆變器*等汽車電動動力總成系統，以及AI伺服器電源和資料中心等工業設備電源。 ROHM在開發第5世代SiC…
AI伺服器對更高功率的需求持續增長，為製造商帶來了新的挑戰。為滿足這一需求，全球電源系統和物聯網領域半導體領導者英飛凌科技股份有限公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）進一步擴展其XDP數位電源控制器IC產品系列，推出全…
台達於 NVIDIA GTC 2026亮相專為下世代 AI 工廠打造的 800 VDC 解決方案 (2026.03.17)
台達（17）日宣布參與NVIDIA GTC 2026，推出專為下世代AI工廠打造的800 VDC直流電力架構，涵蓋高效電源、尖端液冷散熱及微電網解決方案，滿足高算力需求的同時，提升效能與能源效率。在AI應用上，展區聚焦基於NVIDIA Om…
強化電子材料供應鏈韌性 循環經濟實現AI資源永續 (2026.01.20)
由於人工智能（AI）技術持續進展，不僅在應用端正加速與各類資通訊智慧終端設備結合，材料性能必須能因應更複雜情境，使用者體驗與永續性也備受重視。進而延續至上游半導體製程，從製造前端起深化製程材料創新，以強化全球電子材料供應鏈韌性。…
隨著 AI 伺服器、電源轉換與嵌入式系統的複雜度快速提升，工程師對於「同時看得多、看得快、看得準」的量測需求正持續攀升。Rohde & Schwarz ( 羅德史瓦茲 / R&S ) 擴充新世代 MXO 示波器陣容，推出 4 通道與 8 通…
聚焦AI、智慧移動與永續電力 ST Techday勾勒未來系統級創新藍圖 (2025.12.15)
在 AI、高效能運算與電動化浪潮持續推升半導體角色的當下，意法半導體（STMicroelectronics）在台北舉辦「ST Taiwan Techday」，以「Technology Starts with You（科技始之於你）」為主題，…
ST Taiwan Techday 2025登場 鎖定AI、智慧移動與綠能四大商機 (2025.12.05)
服務橫跨多重電子應用領域之全球半導體領導廠商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）將於 12 月 12 日在台北文創舉辦第二屆 ST Taiwan Techday。今年以「科技始之於你（Te…
ST台灣Techday 2025登場 全面展示次世代半導體技術版圖 (2025.12.04)
全球半導體大廠意法半導體（STMicroelectronics，以下簡稱 ST）將於 12 月 12 日在台北文創舉辦第二屆ST Taiwan Techday。今年以「科技始之於你（Technology Starts with You）」為…
GE Aerospace第四代SiC MOSFET瞄準AI資料中心與高功率工業應用 (2025.11.13)
面對高速成長的人工智能資料中心、電動車、航空航太與高功率工業應用帶來的能源挑戰，GE Aerospace公司近日展示第四代碳化矽（SiC）MOSFET功率元件，成為推動新一波能源效率提升的重要技術里程碑。本次展示於紐約州的GE研究中心完成，…
ROHM推出適用於AI伺服器的寬SOA範圍5×6mm小尺寸MOSFET (2025.11.12)
半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）推出實現業界頂級SOA*1範圍的100V耐壓功率MOSFET「RS7P200BM」。該款產品採用5060尺寸（5.0mm×6.0mm）封裝，非常適用於48V電源AI伺服器的熱插拔電路*2，以及需要電…
AI伺服器功率暴增 800V直流電源成資料中心新基準 (2025.11.06)
隨著生成式AI與大型語言模型的爆發式成長，資料中心的功率需求正呈現倍數成長。過去以54V為主的伺服器電源架構，已無法支撐AI伺服器所需的高電流與高效率運作。為因應這股浪潮，業界正快速轉向「800V直流（VDC）」架構，這不僅是一次電壓等級的…
兼顧小型化且對應大功率！ ROHM開始量產TOLL封裝SiC MOSFET (2025.10.28)
半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）已開始量產TOLL（TO-LeadLess）封裝的SiC MOSFET「SCT40xxDLL」系列產品。與同等耐壓和導通電阻的傳統封裝產品（TO-263-7L）相比，散熱性提升約39%，雖然兼具小型…
AI重塑PCB價值鏈：材料、設計與市場的三重進化 (2025.10.07)
過去，PCB的角色主要在於承載與連接電子元件，但在AI時代，PCB不僅要能傳輸超高速訊號，還必須處理高功率密度、散熱挑戰與多層堆疊設計的壓力。這使得PCB產業迎來一場全面性的技術革命與材料演進。…
「Power Eco Family」 ROHM功率半導體產品介紹 (2025.10.01)
1.前言 近年來，全球耗電量逐年增加，在工業和交通運輸領域的成長尤為顯著。另外以化石燃料為基礎的火力發電和經濟活動所產生的CO2（二氧化碳）排放量增加已成為嚴重的社會問題。因此為了實現零碳社會，努力提高能源利用效率並實現碳中和，已成為全球共…