恩智浦半導體(NXP Semiconductors N.V.)近日推出首款採用1.1-mm x 1-mm x 0.37-mm超薄DFN（分立式扁平無引腳）封裝的電晶體。全新產品組合由25種元件組成，其中包括低RDson MOSFET以及可將電流能力最高提升至3.2 A的低飽和通用電晶體。此全新產品系列憑藉其超小尺寸和高性能，相當適用於可攜式、空間受限應用的電源管理和負載開關，特別因外形大小、功率密度和效率皆為關鍵因素。
恩智浦半導體電晶體產品經理Joachim Stange表示：「在微小的塑膠封裝內達到如此高的汲極和集極電流值是前所未有的。憑藉這一突破性的里程碑，恩智浦將繼續挑戰MOSFET和雙極性電晶體在超緊緻封裝和性能方面的極限。」
全新產品系列採用兩種封裝：單晶DFN1010D-3 (SOT1215)封裝，功耗最高達到1 W，具備鍍錫與可焊式側焊墊的特性。這些側焊墊提供光學焊接檢測的優勢，與傳統無鉛封裝相比，焊接連接品質更好，能滿足嚴格的汽車應用要求。雙晶封裝DFN1010B-6 (SOT1216)，佔用空間僅為1.1-mm2，是雙電晶體可採用的最小封裝。
採用DFN1010封裝的產品可替代許多WL-CSP裝置。另外，該封裝也可以取代體積更大的DFN封裝和標準含鉛SMD封裝（例如達其體積八倍的SOT23），同時提供同等甚至更為出色的性能。
全新產品組合主要特點：
‧ 1.1 x 1 x 0.37 mm超小扁平封裝
‧ 功率消耗(Ptot) 最高達到1 W
‧ 採用鍍錫與可焊式側焊墊，貼裝性能更好，符合汽車應用要求
‧ 單通道和雙通道MOSFET（N-ch/P-ch）
‧ RDSon值低至34mOhm
‧ ID最高達到3.2 A
‧ 電壓範圍為12 V至80 V
‧ 1 kV ESD保護
‧ 低VCesat (BISS)單晶體管
‧ VCEsat 值低至70 mV
‧ 集極電流(IC)最高達到2 A，峰值集極電流(ICM)最高達到3 A
‧ VCEO範圍為30 V至60 V
‧ 符合AEC-Q101標準
‧ 雙通道NPN/PNP配電阻（數位）電晶體（100 mA，R1=R2=47 kOhm /符合AEC-Q101標準）
‧ 通用單晶體和雙電晶體
