以色列記憶體技術開發商Weebit Nano Limited宣布，已將其電阻式隨機存取記憶體 (ReRAM) 技術授權給安森美半導體。
根據協議條款，Weebit ReRAM IP將整合到安森美半導體的Treo平台中，以提供嵌入式非揮發性記憶體 (NVM)。 Weebit ReRAM整合到雙極性 CMOS、DMOS (BCD) 製程中，可提供低功耗、高成本效益的 NVM，並已證明在高溫下具有出色的資料保存能力。
Weebit Nano執行長Coby Hanoch表示，很高興Weebit與安森美半導體達成最新商業協議。這項協議進一步證明了ReRAM是取代傳統快閃記憶體的最佳非揮發性記憶體解決方案。
