根據大陸媒體報導指出，IBM和史丹福大學宣佈，雙方將進一步合作深入研究自旋電子學（spintronics），這種技術未來可望讓讓高速數位相機及電腦在通電時便能立即運作。
自旋電子學的原理是由薄膜上發射的磁場進行精確控制，讓磁場產生電阻，電阻的高值和低值即分為一或零。透過控制磁場和對薄膜不同點上的電阻層次進行分析，研究者可以得出數據。自旋電子學已誕生數年，以IBM生產的磁盤驅動器磁頭為例，該技術在1997年即利用了自旋電子學原理，採用巨型磁阻抗技術（GMR）。
找到一種能替代快閃記憶體的儲存方法是半導體市場的一項急切任務。快閃記憶體被大量應用在手機、數位相機與其他設備的儲存卡上，因此其市場需求正在急速增長。 然而，支撐快閃記憶體的基礎技術難以突破，幾乎所有主要製造商都在研究新的替代方案。磁性隨機存取內存（MRAM)將成為自旋電子學整合應用的下一個領域。在理論上，MRAM可儲存相當大數量的數據，消耗很少電力，其運行速度要比普通快閃記憶體快的多，而且可以永久保存。
據相關評論人士指出，MRAM距離實際替代快閃記憶體還有很長的路要走，IBM必須證明MRAM可以在技術上低成本地大量生產。Intel也指出，MRAM的單片體積過大，因此難於插入數位相機這類小型設備。
