聯電三座12吋晶圓廠主力製程將以跳躍式製程技術投片，由0.18微米直接升級到0.13微米，預計2003年量產製程可進階到0.1微米，並進入0.07微米製程研發。聯電29日舉行技術論壇，12吋晶圓廠的設備、製程、單晶片系統組(SOC)的環境整合，以及SOC共用光罩策略(Silicon Shuttle)的導入，都是現場客戶專注的焦點。
聯電技術長劉富台表示，整合型晶片及SOC是未來IC發展的主流，跨入的充要條件有五，前兩項是設立標準製程及設計平台，第三，為強化速度並因應顆粒較大的特質，銅及低介電係數(Low K)的發展也很重要。另外，SOC因顆粒較大且變化多，適用於12吋晶圓廠生產，並擁有充足的可重複使用矽智財(Reused IP)，以目前全球IC生產架構分析，IC代工業者結合IP供應商發展的空間較大。
聯電Fab 12A副廠長廖寬仰指出，聯電Trecenti廠是採用四個月產能1萬片的階段(Phase)投產，並引進晶舟(FOUPS)承載、單晶圓製程(Single Wafer Process取代Batch)特殊流程，以降低學習曲線，今年第一季陸續以0.18微米投片生產低功率靜態隨機存取記憶體(LPRAM)，明年將跨入0.13及0.1微米生產。
