全球手機用ic訂單已自上月起開始回流，估計在第四季就會明顯好轉，為能配合客戶，穩懋已決定於12月將月產能提高至1500片，明年規劃年產能將按照原定規劃增加為30000片，而晶圓二廠計畫也預定在明年展開。另一方面，由於採E-MODE技術的pHEMT製程已漸成熟，公司預定將HBT與pHEMT比重，從今年七比三在明年調整為六比四。
穩懋表示，7月起砷化鎵晶圓代工的成長率已回歸平衡點，8月更出現成長。也因此，公司對第四季砷化鎵晶圓代工景氣轉趨樂觀，預估今年12月時月產能將從目前的5、600片激增至1500片。
而在客戶對明年產能需求提高下，穩懋也指出，雖然目前規劃年產能高達10萬片的晶圓一廠，必須至2005年才會達到產能滿載水準，不過公司已開始規劃明年晶圓二廠的建廠動作。
此外，穩懋原先所規劃HBT與pHEMT七比三的比例，也將反應市場需求而調整為六比四。穩懋表示，由於現有HBT製程的功率放大器在工作電壓的特性上，有無法降至三伏特以下的限制，但隨著手機逐步朝高頻發展的趨勢，對於省電的要求也越來越高，因此公司已投入最低能將工作電壓降至1.5伏特水準的EnchanceMode pHEMT製程，預計明年第二季可進入量產。
