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三星Q2獲利大幅下滑 仰賴Tesla訂單與HBM策略重振榮光

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2025 年第二季,Samsung公布財報顯示,其營業利潤年減 55%,其中以晶片部門表現最為低迷,已連續四季呈現虧損,凸顯全球記憶體市場與先進製程壓力尚未完全緩解。不過,隨著 AI 應用快速擴張,Samsung 也找到了潛在轉機:近期正式與 Tesla 達成總值高達 165 億美元的晶片代工協議,預計將成為公司半導體事業的重要支撐。

該筆協議被視為 Samsung Foundry 有史以來單一最大客戶案,負責製造 Tesla 下一代 AI6 晶片,將由 Samsung 位於美國德州 Taylor 廠的高端製程線負責量產。該廠正導入 3 奈米 GAA(環繞閘極)製程技術,雖然尚不如台積電的 3 奈米在成熟度與良率方面穩定,但藉由獲得 Tesla 此一旗艦 AI 客戶,將有助強化 Samsung 在 AI 晶片製造市場的技術聲望與客戶信心。

除了代工服務,Samsung 同樣在記憶體產品線加緊部署 AI 所需的高頻寬記憶體(HBM)產品。據了解,公司正加速生產 HBM3E 晶片,並同步投入 HBM4 的開發,目標於 2026 年量產。這些新世代記憶體晶片可大幅提升 AI 模型在資料中心與加速器上的處理速度,對應 OpenAI、Google、Meta 等企業不斷擴張的運算需求。

儘管當前記憶體價格仍面臨週期性波動,Samsung 仍堅信 HBM 市場將是未來 3~5 年記憶體價值鏈的核心所在。其在 HBM 領域的市佔率目前仍落後 SK hynix,但公司正藉由擴大產能與改善散熱技術(例如引入裸晶堆疊與 TSV 優化),努力縮小與競爭對手的差距。

此外,Samsung 也嘗試在晶片設計與先進封裝領域進一步整合,例如布局 Chiplet 架構與 CPO(共封裝光學)技術,期待在 AI 晶片客製化與高效能運算方面提供一站式服務,挑戰 TSMC 與 Intel 於高階晶片封裝市場的主導地位。

超大規模資料中心重塑AI基礎設施
特別企劃半導體AI

超大規模資料中心重塑AI基礎設施

為了增加資料傳輸的速度、距離和效率,AI生態系統正在探索射頻(RF)矽中介層技術,以實現互補式金氧半導體(CMOS)、雙極互補式金氧半導體(BiCMOS)與三五族材料的異質整合。

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