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新唐科技全新M2L31 微控制器滿足高效能嵌入式計算需求

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高效能及低功耗成為產品設計的重要關鍵之一,新唐科技推出全新的 Arm Cortex-M23 M2L31 微控制器系列。為滿足對高效能嵌入式計算需求日益增長的需求。新唐 NuMicro M2L31 微控制器,採用 Arm Cortex-M23 核心,並配有 64 到 512 Kbytes 的 ReRAM(電阻式記憶體)和 40 到 168 Kbytes 的 SRAM,是一款為可持續性和優異能效設計的低功耗產品。M2L31 系列支援兩個 CAN FD 和兩個 USB Type-C PD 3.0 接口,並優先考慮穩健的安全功能來保護寶貴的數據資料。

對於電池管理、工業自動化和消費性周邊設備等需高效能的應用而言,NuMicro M2L31 系列的低功耗能力顯著提升電池壽命,減少頻繁更換電池的需求。M2L31 提供三種低功耗模式:正常掉電、待機掉電和深度掉電,並確保不影響功能的正常運行,運行速度可達 72MHz。微控制器的典型運行電流在正常模式下僅為 60 μA/MHz,而在深度掉電模式下更是降至 0.5 μA。 其在無需 CPU 干預的情況下,通過低功耗串行接口獨立處理外圍數據採集和數據處理的能力。

M2L31 系列整合基於與台積電合作開發的製程技術的 ReRAM。這種新型非揮發性記憶體透過避免傳統快閃記憶體中耗時的「擦除後寫入」過程,加速寫入操作,同時提供了更低的能耗和更好的耐用性。M2L31 系列支援廣泛的 I/O 和外圍設備,並支援多達 16 通道的電容觸控。多種封裝選項滿足大多數應用需求。過去ReRAM 主要用於 DRAM 或 NAND 快閃記憶體市場。隨著新唐科技下一代 M2L31 微控制器的推出,工業和消費性領域的開發人員也能享受到 ReRAM 的諸多優勢。

超大規模資料中心重塑AI基礎設施
特別企劃半導體AI

超大規模資料中心重塑AI基礎設施

為了增加資料傳輸的速度、距離和效率,AI生態系統正在探索射頻(RF)矽中介層技術,以實現互補式金氧半導體(CMOS)、雙極互補式金氧半導體(BiCMOS)與三五族材料的異質整合。

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關鍵字:微控制器